参数资料
型号: IDT70V06L25PFI8
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 14/23页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 128KBIT 25NS 64TQFP
标准包装: 750
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 双端口,异步
存储容量: 128K (16K x 8)
速度: 25ns
接口: 并联
电源电压: 3 V ~ 3.6 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 64-LQFP
供应商设备封装: 64-TQFP(14x14)
包装: 带卷 (TR)
其它名称: 70V06L25PFI8
IDT70V06S/L
High-Speed 3.3V 16K x 8 Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of Write with Port-To-Port Read and BUSY (2,4,5)
(M/ S = V IH )
t WC
ADDR "A"
MATCH
t WP
R/W "A"
DATA IN "A"
t DW
VALID
t DH
ADDR "B"
t APS
(1)
MATCH
BUSY "B"
t BAA
t WDD
t BDA
t BDD
DATA OUT "B"
t DDD
(3)
VALID
2942 drw 12
NOTES:
1. To ensure that the earlier of the two ports wins. t APS is ignored for M/ S = V IL (SLAVE).
2. CE L = CE R = V IL
3. OE = V IL for the reading port.
4. If M/ S = V IL (slave) then BUSY is input. Then for this example BUSY “A” = V IH and BUSY “B” input is shown above.
5. All timing is the same for left and right port. Port "A" may be either left or right port. Port "B" is the port opposite from Port "A".
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PDF描述
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参数描述
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IDT70V06L35J 功能描述:IC SRAM 128KBIT 35NS 68PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
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IDT70V06L35PF 功能描述:IC SRAM 128KBIT 35NS 64TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,异步 存储容量:128K(8K x 16) 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP(14x14) 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF
IDT70V06L35PF8 功能描述:IC SRAM 128KBIT 35NS 64TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,异步 存储容量:128K(8K x 16) 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP(14x14) 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF