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参数资料
| 型号： | IDT70V06L25PFI8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 15/23页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 128KBIT 25NS 64TQFP |
| 标准包装： | 750 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 128K (16K x 8) |
| 速度： | 25ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 64-LQFP |
| 供应商设备封装： | 64-TQFP（14x14） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 70V06L25PFI8 |
IDT70V06S/L
High-Speed 3.3V 16K x 8 Dual-Port Static RAM
Timing Waveform of Write with BUSY
t WP
R/ W "A"
t WB (3)
BUSY "B"
Industrial and Commercial Temperature Ranges
t WH (1)
R/ W "B"
(2)
,
2942 drw 13
NOTES:
1. t WH must be met for both BUSY input (slave) output master.
2. BUSY is asserted on Port “B” Blocking R/ W “B” , until BUSY “B” goes HIGH.
3. t WB is only for the slave version.
Waveform of BUSY Arbitration Controlled by CE Timing (1) (M/ S = V IH )
ADDR "A"
and "B"
CE "A"
CE "B"
t APS
(2)
ADDRESSES MATCH
t BAC
t BDC
BUSY "B"
2942 drw 14
Waveform of BUSY Arbitration Cycle Controlled by Address Match
Timing (1) (M/ S = V IH )
ADDR "A"
ADDR "B"
t APS
(2)
ADDRESS "N"
MATCHING ADDRESS "N"
t BAA
t BDA
BUSY "B"
2942 drw 15
NOTES:
1. All timing is the same for left and right ports. Port “A” may be either the left or right port. Port “B” is the port opposite from “A”.
2. If t APS is not satisfied, the BUSY signal will be asserted on one side or another but there is no guarantee on which side BUSY will be asserted.
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6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V06L20PFI8 | IC SRAM 128KBIT 20NS 64TQFP |
| IDT70V06L15PFG8 | IC SRAM 128KBIT 15NS 64TQFP |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70V06L35G | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 35NS 68PGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V06L35J | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 35NS 68PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V06L35J8 | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 35NS 68PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
| IDT70V06L35PF | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 35NS 64TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
| IDT70V06L35PF8 | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 35NS 64TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
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