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参数资料
| 型号： | IDT70V06L55J |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 2/23页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 128KBIT 55NS 68PLCC |
| 标准包装： | 18 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 128K (16K x 8) |
| 速度： | 55ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 68-LCC（J 形引线） |
| 供应商设备封装： | 68-PLCC（24x24） |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 70V06L55J |
IDT70V06S/L
High-Speed 3.3V 16K x 8 Dual-Port Static RAM
Description
The IDT70V06 is a high-speed 16K x 8 Dual-Port Static RAM. The
IDT70V06 is designed to be used as a stand-alone 128K-bit Dual-Port
Static RAM or as a combination MASTER/SLAVE Dual-Port Static
RAM for 16-bit-or-more word systems. Using the IDT MASTER/
SLAVE Dual-Port Static RAM approach in 16-bit or wider memory
system applications results in full-speed, error-free operation without
the need for additional discrete logic.
This device provides two independent ports with separate control,
Pin Configurations (1,2,3)
11/29/01
INDEX
Industrial and Commercial Temperature Ranges
address, and I/O pins that permit independent, asynchronous access for
reads or writes to any location in memory. An automatic power down
feature controlled by CE permits the on-chip circuitry of each port to enter
a very low standby power mode.
Fabricated using IDT’s CMOS high-performance technology, these
devices typically operate on only 400mW of power.
The IDT70V06 is packaged in a ceramic 68-pin PGA and PLCC
and a 64-pin thin quad flatpack (TQFP).
9
8
7
6
5
4
3
2
1 68 67 66 65 64 63 62 61
I/O 2L
I/O 3L
I/O 4L
I/O 5L
V SS
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57
56
A 5L
A 4L
A 3L
A 2L
A 1L
I/O 6L
I/O 7L
15
16
IDT70V06J
J68-1 (4)
55
54
A 0L
INT L
V DD
V SS
I/O 0R
I/O 1R
I/O 2R
V DD
I/O 3R
I/O 4R
I/O 5R
I/O 6R
17
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26
68-Pin PLCC
Top View (5)
53
52
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50
49
48
47
46
45
44
BUSY L
V SS
M/ S
BUSY R
INT R
A 0R
A 1R
A 2R
A 3R
A 4R
,
27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43
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11/29/01
INDEX
I/O 2L
I/O 3L
I/O 4L
I/O 5L
V SS
1
2
3
4
5
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47
46
45
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A 4L
A 3L
A 2L
A 1L
A 0L
I/O 6L
I/O 7L
6
7
70V06PF
PN-64 (4)
43
42
INT L
BUSY L
NOTES:
1. All V DD pins must be connected to power supply.
2. All V SS pins must be connected to ground supply.
V DD
V SS
I/O 0R
I/O 1R
I/O 2R
V DD
I/O 3R
I/O 4R
I/O 5R
8
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15
16
64-Pin TQFP
Top View (5)
41
40
39
38
37
36
35
34
33
V SS
M/ S
BUSY R
INT R
A 0R
A 1R
A 2R
A 3R
A 4R
,
3. J68-1 package body is approximately .95 in x .95 in x .17 in
PN-64 package body is approximately 14mm x 14mm x 1.4mm.
4. This package code is used to reference the package diagram.
5. This text does not indicate orientation of the actual part marking.
2
2942 drw 03
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| IDT70V06L55PF8 | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 55NS 64TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
| IDT70V06S15J | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 15NS 68PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V06S15J8 | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 15NS 68PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
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