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参数资料
| 型号： | IDT70V06S20J8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 14/23页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 128KBIT 20NS 68PLCC |
| 标准包装： | 250 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 128K (16K x 8) |
| 速度： | 20ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 68-LCC（J 形引线） |
| 供应商设备封装： | 68-PLCC（24x24） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 70V06S20J8 |
IDT70V06S/L
High-Speed 3.3V 16K x 8 Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of Write with Port-To-Port Read and BUSY (2,4,5)
(M/ S = V IH )
t WC
ADDR "A"
MATCH
t WP
R/W "A"
DATA IN "A"
t DW
VALID
t DH
ADDR "B"
t APS
(1)
MATCH
BUSY "B"
t BAA
t WDD
t BDA
t BDD
DATA OUT "B"
t DDD
(3)
VALID
2942 drw 12
NOTES:
1. To ensure that the earlier of the two ports wins. t APS is ignored for M/ S = V IL (SLAVE).
2. CE L = CE R = V IL
3. OE = V IL for the reading port.
4. If M/ S = V IL (slave) then BUSY is input. Then for this example BUSY “A” = V IH and BUSY “B” input is shown above.
5. All timing is the same for left and right port. Port "A" may be either left or right port. Port "B" is the port opposite from Port "A".
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PDF描述 |
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| IDT7016S35J8 | IC SRAM 144KBIT 35NS 68PLCC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IDT70V06S20PF8 | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 20NS 64TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
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| IDT70V06S25J8 | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 25NS 68PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
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