参数资料
型号: IDT70V08L20PFGI
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 14/20页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 512KBIT 20NS 100TQFP
标准包装: 45
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 双端口,异步
存储容量: 512K (64K x 8)
速度: 20ns
接口: 并联
电源电压: 3 V ~ 3.6 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 100-LQFP
供应商设备封装: 100-TQFP(14x14)
包装: 托盘
其它名称: 70V08L20PFGI
IDT70V08S/L
High-Speed 3.3.V 64K x 8 Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Waveform of BUSY Arbitration Controlled by CE Timing (M/ S = V IH ) (1,3)
ADDR "A"
and "B"
CE "A"
CE "B"
t APS (2)
ADDRESSES MATCH
t BAC
t BDC
BUSY "B"
3740 drw 13
Waveform of BUSY Arbitration Cycle Controlled by Address Match
Timing (M/ S = V IH ) (1)
ADDR "A"
ADDR "B"
ADDRESS "N"
t APS (2)
MATCHING ADDRESS "N"
t BAA
t BDA
BUSY "B"
3740 drw 14
NOTES:
1. All timing is the same for left and right ports. Port “A” may be either the left or right port. Port “B” is the port opposite from port “A”.
2. If t APS is not satisfied, the BUSY signal will be asserted on one side or another but there is no guarantee on which side BUSY will be asserted.
3. Refer to Chip Enable Truth Table.
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