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参数资料
| 型号： | IDT70V08L20PFGI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 7/20页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 512KBIT 20NS 100TQFP |
| 标准包装： | 45 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 512K (64K x 8) |
| 速度： | 20ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V08L20PFGI |
IDT70V08S/L
High-Speed 3.3V 64K x 8 Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
AC Electrical Characteristics Over the
Operating Temperature and Supply Voltage Range (4)
70V08X15
Com'l Only
70V08X20
Com'l
& Ind
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
READ CYCLE
t RC
t AA
Read Cycle Time
Address Access Time
15
____
____
15
20
____
____
20
ns
ns
t ACE
Chip Enable Access Time
(3)
____
15
____
20
ns
t AOE
t OH
t LZ
t HZ
t PU
t PD
t SOP
t SAA
Output Enable Access Time
Output Hold from Address Change
Output Low-Z Time (1,2)
Output High-Z Time (1,2)
Chip Enable to Power Up Time (2,5)
Chip Disable to Power Down Time (2,5)
Semaphore Flag Update Pulse ( OE or SEM )
Semaphore Address Access Time
____
3
3
____
0
____
10
____
10
____
____
12
____
15
____
15
____
3
3
____
0
____
10
____
12
____
____
12
____
20
____
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
3740 tbl 12a
70V08X25
Com'l Only
70V08X35
Com'l Only
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
READ CYCLE
t RC
t AA
Read Cycle Time
Address Access Time
25
____
____
25
35
____
____
35
ns
ns
t ACE
Chip Enable Access Time
(3)
____
25
____
35
ns
t AOE
t OH
t LZ
t HZ
Output Enable Access Time
Output Hold from Address Change
Output Low-Z Time (1,2)
Output High-Z Time (1,2)
____
3
3
____
15
____
____
15
____
3
3
____
20
____
____
20
ns
ns
ns
ns
t PU
Chip Enable to Power Up Time
(2,5)
0
____
0
____
ns
t PD
Chip Disable to Power Down Time
(2,5)
____
25
____
45
ns
t SOP
t SAA
Semaphore Flag Update Pulse ( OE or SEM )
Semaphore Address Access Time
15
____
____
35
15
____
____
45
ns
ns
NOTES:
1. Transition is measured 0mV from Low or High-impedance voltage with Output Test Load (Figure 2).
2. This parameter is guaranteed by device characterization, but is not production tested.
3. To access RAM, CE = V IL and SEM = V IH . To access semaphore, CE = V IH and SEM = V IL .
4. 'X' in part numbers indicates power rating (S or L).
7
3740 tbl 12b
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