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参数资料
| 型号： | IDT70V3579S5BC8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 2/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 1.125MBIT 5NS 256BGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 1.125M（32K x 36） |
| 速度： | 5ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.15 V ~ 3.45 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 256-LBGA |
| 供应商设备封装： | 256-CABGA（17x17） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 70V3579S5BC8 |
IDT70V3579S
High-Speed 32K x 36 Dual-Port Synchronous Pipelined Static RAM
Description:
Industrial and Commercial Temperature Ranges
The IDT70V3579 is a high-speed 32K x 36 bit synchronous Dual-
Port RAM. The memory array utilizes Dual-Port memory cells to allow
simultaneous access of any address from both ports. Registers on
control, data, and address inputs provide minimal setup and hold
times. The timing latitude provided by this approach allows systems
to be designed with very short cycle times. With an input data register, the
IDT70V3579 has been optimized for applications having unidirectional or
Pin Configuration (1,2,3,4)
bidirectional data flow in bursts. An automatic power down feature,
controlled by CE 0 and CE 1, permits the on-chip circuitry of each port to
enter a very low standby power mode.
The 70V3579 can support an operating voltage of either 3.3V or 2.5V
on one or both ports, controllable by the OPT pins. The power supply for
the core of the device (V DD ) remains at 3.3V.
12/12/01
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
A17
IO 19L IO 18L
V SS
NC
NC
NC
A 12L
A 8L
BE 1L
V DD
CLK L CNTEN L A 4L
A 0L
OPT L I/O 17L
V SS
B1
B2
B3
B4
B5
B6
B7
B8
B9
B10
B11
B12
B13
B14
B15
B16
B17
I/O 20R
V SS
I/O 18R
V SS
NC
A 13L
A 9L
BE 2L
CE 0L
V SS
ADS L
A 5L
A 1L
V SS
V DDQR I/O 16L I/O 15R
C1
C2
C3
C4
C5
C6
C7
C8
C9
C10
C11
C12
C13
C14
C15
C16
C17
V DDQL I/O 19R V DDQR V DD
NC
A 14L
A 10L
BE 3L CE 1L
V SS
R/ W L
A 6L
A 2L
V DD I/O 16R I/O 15L
V SS
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
D8
D9
D10
D11
D12
D13
D14
D15
D16
D17
I/O 22L
V SS
I/O 21L I/O 20L
NC
A 11L
A 7L
BE 0L
V DD
OE L CNTRST L
A 3L
V DD
I/O 17R V DDQL I/O 14L I/O 14R
E1
E2
E3
E4
E14
E15
E16
E17
I/O 23L I/O 22R V DDQR I/O 21R
I/O 12L I/O 13R
V SS
I/O 13L
F1
F2
F3
F4
F14
F15
F16
F17
V DDQL I/O 23R I/O 24L
V SS
V SS
I/O 12R I/O 11L V DDQR
G1
G2
G3
G4
G14
G15
G16
G17
I/O 26L V SS
I/O 25L I/O 24R
I/O 9L V DDQL I/O 10L I/O 11R
H1
V DD
J1
H2 H3 H4
I/O 26R V DDQR I/O 25R
J2 J3 J4
70V3579BF
BF-208 (5)
H14
V DD
J14
H15
IO 9R
J15
H16
V SS
J16
H17
I/O 10R
J17
V DDQL
V DD
V SS
V SS
V SS
V DD
V SS V DDQR
K1
I/O 28R
K2
V SS
K3
I/O 27R
K4
V SS
208-Pin fpBGA
Top View (6)
K14 K15 K16
I/O 7R V DDQL I/O 8R
K17
V SS
L1
L2
L3
L4
L14
L15
L16
L17
I/O 29R I/O 28L V DDQR I/O 27L
I/O 6R
I/O 7L
V SS
I/O 8L
M1
M2
M3
M4
M14
M15
M16
M17
V DDQL I/O 29L I/O 30R
V SS
V SS
I/O 6L I/O 5R V DDQR
N1
N2
N3
N4
N14
N15
N16
N17
I/O 31L
V SS
I/O 31R I/O 30L
I/O 3R V DDQL I/O 4R
I/O 5L
P1
P2
P3
P4
P5
P6
P7
P8
P9
P10
P11
P12
P13
P14
P15
P16
P17
I/O 32R I/O 32L V DDQR I/O 35R
NC
NC
A 12R
A 8R
BE 1R
V DD
CLK R CNTEN R A 4R
I/O 2L
I/O 3L
V SS
I/O 4L
R1
R2
R3
R4
R5
R6
R7
R8
R9
R10
R11
R12
R13
R14
R15
R16
R17
V SS
I/O 33L I/O 34R
NC
NC
A 13R
A 9R
BE 2R CE 0R
V SS
ADS R
A 5R
A 1R
V SS
V DDQL I/O 1R V DDQR
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
T10
T11
T12
T13
T14
T15
T16
T17
I/O 33R I/O 34L V DDQL
V SS
NC
A 14R
A 10R
BE 3R CE 1R
V SS
R/ W R
A 6R
A 2R
V SS
I/O 0R
V SS
I/O 2R
U1
U2
U3
U4
U5
U6
U7
U8
U9
U10
U12
U13
U14
U15
U16
U17
V SS
I/O 35L
V DD
NC
NC
A 11R
A 7R
BE 0R
V DD
OE R
A 3R
A 0R
V DD
OPT R I/O 0L
I/O 1L
,
4830 drw 02c
NOTES:
1. All V DD pins must be connected to 3.3V power supply.
2. All V DDQ pins must be connected to appropriate power supply: 3.3V if OPT pin for that port is set to V IH (3.3V), and 2.5V if OPT pin for that port is
set to V IL (0V).
3. All V SS pins must be connected to ground supply.
4. Package body is approximately 15mm x 15mm x 1.4mm, with 0.8mm ball-pitch.
5. This package code is used to reference the package diagram.
6. This text does not indicate orientation of the actual part-marking.
6.42
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| IDT70V3579S5BCI | 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 5NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
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| IDT70V3579S5BF8 | 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 5NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
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