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参数资料
| 型号： | IDT70V3579S5BC8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 7/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 1.125MBIT 5NS 256BGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 1.125M（32K x 36） |
| 速度： | 5ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.15 V ~ 3.45 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 256-LBGA |
| 供应商设备封装： | 256-CABGA（17x17） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 70V3579S5BC8 |
IDT70V3579S
High-Speed 32K x 36 Dual-Port Synchronous Pipelined Static RAM
Capacitance (1)
(T A = +25°C, F = 1.0MH Z ) PQFP ONLY
Industrial and Commercial Temperature Ranges
C OUT
Symbol
C IN
(3)
Parameter
Input Capacitance
Output Capacitance
Conditions (2)
V IN = 3dV
V OUT = 3dV
Max.
8
10.5
Unit
pF
pF
NOTES:
4830 tbl 07
1. These parameters are determined by device characterization, but are not
production tested.
2. 3dV references the interpolated capacitance when the input and output switch
from 0V to 3V or from 3V to 0V.
3. C OUT also references C I/O .
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (V DD = 3.3V ± 150mV)
70V3579S
Symbol
|I LI |
|I LO |
Parameter
Input Leakage Current (1)
Output Leakage Current
Test Conditions
V DDQ = Max., V IN = 0V to V DDQ
CE 0 = V IH or CE 1 = V IL , V OUT = 0V to V DDQ
Min.
___
___
Max.
10
10
Unit
μA
μA
V OL (3.3V)
Output Low Voltage
(2)
I OL = +4mA, V DDQ = Min.
___
0.4
V
V OH (3.3V)
Output High Voltage
(2)
I OH = -4mA, V DDQ = Min.
2.4
___
V
V OL (2.5V)
V OH (2.5V)
Output Low Voltage (2)
Output High Voltage (2)
I OL = +2mA, V DDQ = Min.
I OH = -2mA, V DDQ = Min.
___
2.0
0.4
___
V
V
4830 tbl 08
NOTE:
1. At V DD < - 2.0V input leakages are undefined.
2. V DDQ is selectable (3.3V/2.5V) via OPT pins. Refer to p.4 for details.
7
6.42
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