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参数资料
| 型号： | IDT70V3589S166DRG8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 1/23页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 2MBIT 166MHZ 208QFP |
| 标准包装： | 200 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 2M（64K x 36） |
| 速度： | 166MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.15 V ~ 3.45 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 208-BFQFP |
| 供应商设备封装： | 208-PQFP（28x28） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 70V3589S166DRG8 |
HIGH-SPEED 3.3V
128/64K x 36
Features:
SYNCHRONOUS
DUAL-PORT STATIC RAM
WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
IDT70V3599/89S
◆
◆
◆
◆
◆
◆
True Dual-Port memory cells which allow simultaneous
access of the same memory location
High-speed data access
– Commercial: 3.6ns (166MHz)/4.2ns (133MHz) (max.)
– Industrial: 4.2ns (133MHz) (max.)
Selectable Pipelined or Flow-Through output mode
Counter enable and repeat features
Dual chip enables allow for depth expansion without
additional logic
Full synchronous operation on both ports
– 6ns cycle time, 166MHz operation (12Gbps bandwidth)
– Fast 3.6ns clock to data out
– 1.7ns setup to clock and 0.5ns hold on all control, data, and
address inputs @ 166MHz
– Data input, address, byte enable and control registers
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
Separate byte controls for multiplexed bus and bus
matching compatibility
Dual Cycle Deselect (DCD) for Pipelined Output mode
LVTTL- compatible, 3.3V (±150mV) power supply
for core
LVTTL compatible, selectable 3.3V (±150mV) or 2.5V
(±100mV) power supply for I/Os and control signals on
each port
Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is
available at 133MHz.
Available in a 208-pin Plastic Quad Flatpack (PQFP),
208-pin fine pitch Ball Grid Array (fpBGA), and 256-pin Ball
Grid Array (BGA)
Supports JTAG features compliant with IEEE 1149.1
Green parts available, see ordering information
– Self-timed write allows fast cycle time
Functional Block Diagram
BE 3L
BE 2L
BE 1L
BE 0L
BE 3R
BE 2R
BE 1R
BE 0R
FT /PIPE L
1/0
0a 1a
a
0b 1b
b
0c 1c
c
0d 1d
d
1d 0d
d
1c 0c
c
1b 0b
b
1a 0a
a
1/0
FT /PIPE R
R/ W L
CE 0L
R/ W R
CE 0R
CE 1L
1
0
1
0
CE 1R
OE L
1/0
B
W
0
L
B
W
1
L
B B B
W W W
2 3 3
L L R
B
W
2
R
B B
W W
1 0
R R
1 /0
OE R
Dout0-8_L
Dout9-17_L
Dout18-26_L
Dout27-35_L
Dout0-8_R
Dout9-17_R
Dout18-26_R
Dout27-35_R
1d 0d
1c 0c 1b 0b 1a 0a
0a 1a 0b 1b
0c 1c 0d 1d
FT /PIPE L
0/1
a b cd
d cba
0/1
FT /PIPE R
128K x 36
MEMORY
ARRAY
I/O 0L - I/O 35 L
CLK L
A 16L (1)
Din_L
Din_R
I/O 0R - I/O 35R
A 16R (1)
CLK R
,
A 0L
REPEAT L
ADS L
CNTEN L
Counter/
Address
Reg.
ADDR_L
ADDR_R
Counter/
Address
Reg.
A 0R
REPEAT R
ADS R
CNTEN R
5617 tbl 01
TDI
TCK
NOTE:
1. A 16 is a NC for IDT70V3589.
TDO
JTAG
TMS
TRST
JULY 2010
1
?2010 Integrated Device Technology, Inc.
DSC 5617/9
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| IDT70V3599S133BCI8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
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