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参数资料
| 型号： | IDT70V38L20PF8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 1/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 1.125MBIT 20NS 100TQFP |
| 标准包装： | 750 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 1.125M（64K x 18） |
| 速度： | 20ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 70V38L20PF8 |
HIGH-SPEED 3.3V
64K x 18 DUAL-PORT
STATIC RAM
IDT70V38L
True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous
Features
◆
access of the same memory location
◆
M/ S = V IH for BUSY output flag on Master,
M/ S = V IL for BUSY input on Slave
◆
◆
◆
◆
High-speed access
– Commercial: 15/20ns (max.)
– Industrial: 20ns (max.)
Low-power operation
– IDT70V38L
Active: 440mW (typ.)
Standby: 660μW (typ.)
Dual chip enables allow for depth expansion without
external logic
IDT70V38 easily expands data bus width to 36 bits or
more using the Master/Slave select when cascading more
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
Busy and Interrupt Flags
On-chip port arbitration logic
Full on-chip hardware support of semaphore signaling
between ports
Fully asynchronous operation from either port
Separate upper-byte and lower-byte controls for multi-
plexed bus and bus matching compatibility
LVTTL-compatible, single 3.3V (±0.3V) power supply
Available in a 100-pin TQFP
Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available
for selected speeds
than one device
Functional Block Diagram
R/ W L
UB L
CE 0L
CE 1L
OE L
LB L
I/O 9-17L
I/O
I/O
R/ W R
UB R
CE 0R
CE 1R
OE R
LB R
I/O 9-17R
I/O 0-8L
BUSY L (1,2)
Control
Control
I/O 0-8R
(1,2)
BUSY R
.
A 15L
A 0L
Address
Decoder
64Kx18
MEMORY
ARRAY
70V38
Address
Decoder
A 15R
A 0R
16
16
SEM L
CE 0L
CE 1L
OE L
R/ W L
ARBITRATION
INTERRUPT
SEMAPHORE
LOGIC
CE 0R
CE 1R
OE R
R/ W R
SEM R
INT L
(2)
M/ S
(1)
INT R
(2)
NOTES:
1. BUSY is an input as a Slave (M/ S =V IL ) and an output when it is a Master (M/ S =V IH ).
2. BUSY and INT are non-tri-state totem-pole outputs (push-pull).
1
?2009 Integrated Device Technology, Inc.
4850 drw 01
JANUARY 2009
DSC-4850/4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V28L20PF8 | IC SRAM 1MBIT 20NS 100TQFP |
| IDT70V37L20PF | IC SRAM 576KBIT 20NS 100TQFP |
| IDT70V27S35PF | IC SRAM 512KBIT 35NS 100TQFP |
| IDT70V27S25PF | IC SRAM 512KBIT 25NS 100TQFP |
| IDT70V27S20PF | IC SRAM 512KBIT 20NS 100TQFP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70V38L20PFGI | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 20NS 100TQFP |
| IDT70V38L20PFGI8 | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 20NS 100TQFP |
| IDT70V38L20PFI | 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 20NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V38L20PFI8 | 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 20NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V525ML55BZGI | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 55NS 144FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
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