参数资料
型号: IDT70V38L20PF
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 17/17页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 1.125MBIT 20NS 100TQFP
标准包装: 6
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 双端口,异步
存储容量: 1.125M(64K x 18)
速度: 20ns
接口: 并联
电源电压: 3 V ~ 3.6 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 100-LQFP
供应商设备封装: 100-TQFP(14x14)
包装: 托盘
其它名称: 70V38L20PF
IDT70V38L
High-Speed 3.3V 64K x 18 Dual-Port Static RAM
Ordering Information
Industrial and Commercial Temperature Ranges
XXXXX
Device
A
Power
999
Speed
A
Package
A
Process/
Type
Temperature
Range
Blank
I (1)
PF
Commercial (0 ° C to +70 ° C)
Industrial (-40 ° C to +85 ° C)
100-pin TQFP (PN100-1)
,
15
20
Commercial Only
Commercial & Industrial
Speed in nanoseconds
NOTE:
L
70V38
Low Power
1152K (64K x 18) Dual-Port RAM
4850 drw 19
1. Contact your sales office for Industrial Temperature range in other speeds, packages and powers.
Datasheet Document History:
08/01/99:
01/02/02:
08/29/03:
01/29/09:
Initial Public Offering
Page 1 & 17 Replaced IDT logo
Page 3 Increased storage temperature parameter
Clarified T A Parameter
Page 5 DC Electrical parameters–changed wording from "open" to "disabled"
Page 4-6, 8 & 12 - 14 Added Truth Table I - Chip Enable to note 5
Page 7 Corrected ±200mV to 0mV in notes
Page 5, 7, 10 & 12 Added Industrial Temperature range for 20ns to DC & AC Electrical Characteristics
Removed Preliminary status
Page 17 Removed "IDT" from orderable part number
CORPORATE HEADQUARTERS
6024 Silver Creek Valley Road
San Jose, CA 95138
for SALES:
800-345-7015 or 408-284-8200
fax: 408-284-2775
for Tech Support:
408-284-2794
DualPortHelp@idt.com
www.idt.com
The IDT logo is a registered trademark of Integrated Device Technology, Inc.
17
相关PDF资料
PDF描述
IDT70V28L20PF IC SRAM 1MBIT 20NS 100TQFP
KMPC855TVR80D4 IC MPU POWERQUICC 80MHZ 357-PBGA
KMPC855TCZQ66D4 IC MPU POWERQUICC 66MHZ 357-PBGA
IDT70V9279L6PRF IC SRAM 512KBIT 6NS 128TQFP
KMPC855TCZQ50D4 IC MPU POWERQUICC 50MHZ 357-PBGA
相关代理商/技术参数
参数描述
IDT70V38L20PF8 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 20NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT70V38L20PFGI 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 20NS 100TQFP
IDT70V38L20PFGI8 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 20NS 100TQFP
IDT70V38L20PFI 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 20NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70V38L20PFI8 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 20NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8