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参数资料
| 型号： | IDT70V658S10BFG8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 1/24页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 2MBIT 10NS 208FBGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 2M（64K x 36） |
| 速度： | 10ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.15 V ~ 3.45 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 208-LFBGA |
| 供应商设备封装： | 208-CABGA（15x15） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 70V658S10BFG8 |
HIGH-SPEED 3.3V
128/64/32K x 36
IDT70V659/58/57S
ASYNCHRONOUS DUAL-PORT
STATIC RAM
Features
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
True Dual-Port memory cells which allow simultaneous
access of the same memory location
High-speed access
– Commercial: 10/12/15ns (max.)
– Industrial: 12/15ns (max.)
Dual chip enables allow for depth expansion without
external logic
IDT70V659/58/57 easily expands data bus width to 72 bits
or more using the Master/Slave select when cascading
more than one device
M/ S = V IH for BUSY output flag on Master,
M/ S = V IL for BUSY input on Slave
Busy and Interrupt Flags
On-chip port arbitration logic
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
Full on-chip hardware support of semaphore signaling
between ports
Fully asynchronous operation from either port
Separate byte controls for multiplexed bus and bus
matching compatibility
Supports JTAG features compliant to IEEE 1149.1
LVTTL-compatible, single 3.3V (±150mV) power supply for
core
LVTTL-compatible, selectable 3.3V (±150mV)/2.5V (±100mV)
power supply for I/Os and control signals on each port
Available in a 208-pin Plastic Quad Flatpack, 208-ball fine
pitch Ball Grid Array, and 256-ball Ball Grid Array
Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available
for selected speeds
Green parts available, see ordering information
Functional Block Diagram
BE 3L
BE 2L
BE 1L
BE 0L
R/ W L
BE 3R
BE 2R
BE 1R
BE 0R
R/ W R
B
E
B
E
B
E
B
E
B B B B
E E E E
CE 0L
CE 1L
0
L
1
L
2
L
3
L
3 2 1 0
R R R R
CE 0R
CE 1R
Dout9-17_R
OE L
Dout0-8_L Dout0-8_R
Dout9-17_L
Dout18-26_L Dout18-26_R
Dout27-35_L Dout27-35_R
128/64/32K x 36
MEMORY
ARRAY
OE R
I/O 0L- I/O 35L
Di n_L
Di n_R
I/O 0R - I/O 35R
A 16 L(1)
A 0L
Address
Decoder
ADDR_L
ADDR_R
Address
Decoder
A 16R(1)
A 0R
CE 0L
CE 1L
OE L
R/ W L
ARBITRATION
INTERRUPT
SEMAPHORE
LOGIC
OE R
R/ W R
CE 0R
CE 1R
BUSY L(2,3)
BUSY R(2,3)
NOTES:
SEM L
INT L(3)
TDI
TDO
M/ S
JTAG
TMS
TCK
TRST
SEM R
INT R(3)
4869 drw 01
1. A 16 is a NC for IDT70V658. Also, Addresses A 16 and A 15 are NC's for IDT70V657.
2. BUSY is an input as a Slave (M/ S =V IL ) and an output when it is a Master (M/ S =V IH ).
3. BUSY and INT are non-tri-state totem-pole outputs (push-pull).
?2008 Integrated Device Technology, Inc.
1
OCTOBER 2008
DSC-4869/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| IDT70V658S10BF8 | IC SRAM 2MBIT 10NS 208FBGA |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IDT70V658S10DRG | 功能描述:IC SRAM 2MBIT 10NS 208QFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V658S12BC | 功能描述:IC SRAM 2MBIT 12NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V658S12BC8 | 功能描述:IC SRAM 2MBIT 12NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V658S12BCI | 功能描述:IC SRAM 2MBIT 12NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
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