参数资料
型号: IDT70V658S10BFG8
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 18/24页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 2MBIT 10NS 208FBGA
标准包装: 1,000
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 双端口,异步
存储容量: 2M(64K x 36)
速度: 10ns
接口: 并联
电源电压: 3.15 V ~ 3.45 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 208-LFBGA
供应商设备封装: 208-CABGA(15x15)
包装: 带卷 (TR)
其它名称: 70V658S10BFG8
IDT70V659/58/57S
High-Speed 3.3V 128/64/32K x 36 Asynchronous Dual-Port Static RAM
Waveform of Interrupt Timing (1)
t WC
Industrial and Commercial Temperature Ranges
ADDR "A"
CE "A"
R/ W "A"
INTERRUPT SET ADDRESS
t AS (3)
(3)
t INS
(2)
t WR (4)
INT "B"
4869 drw 16
t RC
ADDR "B"
t AS
INTERRUPT CLEAR ADDRESS
(3)
(2)
CE "B"
OE "B"
t INR (3)
INT "B"
4869 drw 17
NOTES:
1. All timing is the same for left and right ports. Port “A” may be either the left or right port. Port “B” is the port opposite from port “A”.
2. Refer to Interrupt Truth Table.
3. Timing depends on which enable signal ( CE or R/ W ) is asserted last.
4. Timing depends on which enable signal ( CE or R/ W ) is de-asserted first.
Truth Table III — Interrupt Flag (1,4)
Left Port
Right Port
R/ W L
CE L
OE L
A 16L -A 0L
(5,6)
INT L
R/ W R
CE R
OE R
A 16R -A 0R (5,6)
INT R
Function
H
L
H
L
X
X
X
L
X
X
L
X
X
X
L
1FFFF
X
X
1FFFE
X
X
(3)
(2)
X
X
L
X
X
L
L
X
X
L
X
X
X
1FFFF
1FFFE
X
L (2)
(3)
X
X
Set Right INT R Flag
Reset Right INT R Flag
Set Left INT L Flag
Reset Left INT L Flag
NOTES:
1. Assumes BUSY L = BUSY R =V IH .
2. If BUSY L = V IL , then no change.
3. If BUSY R = V IL , then no change.
4. INT L and INT R must be initialized at power-up.
5. A 16 x is a NC for IDT70V658, therefore Interrupt Addresses are FFFF and FFFE.
6. A 16 x and A 15 x are NC's for IDT70V657, therefore Interrupt Addresses are 7FFF and 7FFE.
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4869 tbl 16
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