- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录3959 > IDT70V659S10BCG (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT70V659S10BCG |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 16/24页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 4.5M（128K x 36） |
| 速度： | 10ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.15 V ~ 3.45 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 256-LBGA |
| 供应商设备封装： | 256-CABGA（17x17） |
| 包装： | 托盘 |
IDT70V659/58/57S
High-Speed 3.3V 128/64/32K x 36 Asynchronous Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of Write with Port-to-Port Read and BUSY (M/ S = V IH ) (2,4,5)
t WC
ADDR "A"
MATCH
t WP
R/ W "A"
DATA IN "A"
t DW
VALID
t DH
ADDR "B"
t APS
(1)
MATCH
t BAA
BUSY "B"
t WDD
DATA OUT "B"
t DDD (3)
NOTES:
1. To ensure that the earlier of the two ports wins. t APS is ignored for M/ S = V IL (SLAVE).
2. CE L = CE R = V IL .
3. OE = V IL for the reading port.
4. If M/ S = V IL (slave), BUSY is an input. Then for this example BUSY "A" = V IH and BUSY "B" input is shown above.
5. All timing is the same for left and right ports. Port "A" may be either the left or right port. Port "B" is the port opposite from port "A".
Timing Waveform of Write with BUSY (M/ S = V IL )
t WP
R/ W "A"
t WB (3)
t BDA
t BDD
VALID
4869 drw 12
.
BUSY "B"
R/ W "B"
(2)
t WH
(1)
NOTES:
1. t WH must be met for both BUSY input (SLAVE) and output (MASTER).
2. BUSY is asserted on port "B" blocking R/ W "B" , until BUSY "B" goes HIGH.
3. t WB is only for the 'slave' version.
16
4869 drw 13
.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KMPC8343ZQAGDB | IC MPU PWRQUICC II 620-PBGA |
| 396-012-541-202 | CARD EDGE 12POS DL .125X.25 BLK |
| 396-012-541-201 | CARD EDGE 12POS DL .125X.25 BLK |
| 046232110103800+ | CONN FFC/FPC 10POS 1MM R/A SMD |
| 396-012-540-804 | CARD EDGE 12POS DL .125X.25 BLK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70V659S10BF | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V659S10BF8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V659S10BFG | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 208FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V659S10BFG8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 208FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V659S10DR | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 208QFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。