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参数资料
| 型号： | IDT70V659S10BCG |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 6/24页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 4.5M（128K x 36） |
| 速度： | 10ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.15 V ~ 3.45 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 256-LBGA |
| 供应商设备封装： | 256-CABGA（17x17） |
| 包装： | 托盘 |
IDT70V659/58/57S
High-Speed 3.3V 128/64/32K x 36 Asynchronous Dual-Port Static RAM
Pin Names
Industrial and Commercial Temperature Ranges
A 0L - A 16L
A 0R - A 16R
Left Port
CE 0L , CE 1L
R/ W L
OE L
(3)
I/O 0L - I/O 35L
SEM L
INT L
BUSY L
BE 0L - BE 3L
V DDQL
OPT L
Right Port
CE 0R , CE 1R
R/ W R
OE R
(3)
I/O 0R - I/O 35R
SEM R
INT R
BUSY R
BE 0R - BE 3R
V DDQR
OPT R
M/ S
V DD
Names
Chip Enables - (Input)
Read/Write Enable - (Input)
Output Enable - (Input)
Address - (Input)
Data Input/Output
Semaphore Enable - (Input)
Interrupt Flag - (Output)
Busy Flag - (Output) (4)
Byte Enables (9-bit bytes) - (Input)
Power (I/O Bus) (3.3V or 2.5V) - (Input) (1)
Option for selecting V DDQX - (Input) (1,2)
Master or Slave Select - (Input)
Power (3.3V) - (Input) (1)
V SS
TDI
TDO
TCK
TMS
TRST
Ground (0V) - (Input)
Test Data Input
Test Data Output
Test Logic Clock (10MHz)
Test Mode Select
Reset (Initialize TAP Controller)
4869 tbl 01
6
NOTES:
1. V DD , OPT X , and V DDQX must be set to appropriate operating levels prior to
applying inputs on I/O X .
2. OPT X selects the operating voltage levels for the I/Os and controls on that port.
If OPT X is set to V IH (3.3V), then that port's I/Os and controls will operate at 3.3V
levels and V DDQX must be supplied at 3.3V. If OPT X is set to V IL (0V), then that
port's I/Os and controls will operate at 2.5V levels and V DDQX must be supplied
at 2.5V. The OPT pins are independent of one another—both ports can operate
at 3.3V levels, both can operate at 2.5V levels, or either can operate at 3.3V
with the other at 2.5V.
3. Addresses A 16 x is a NC for IDT70V658. Also, Addresses A 16 x and A 15 x are
NC's for IDT70V657.
4. BUSY is an input as a slave (M/ S = V IL ).
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
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| IDT70V659S10BF8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V659S10BFG | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 208FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V659S10BFG8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 208FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V659S10DR | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 208QFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
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