- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录22176 > IDT70V7319S133DD (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 4MBIT 133MHZ 144TQFP PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT70V7319S133DD |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 11/21页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 133MHZ 144TQFP |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 20/Aug/2008 |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 4.5M（256K x 18） |
| 速度： | 133MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.15 V ~ 3.45 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 144-LQFP 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 144-TQFP（20x20） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V7319S133DD |
IDT70V7319S
High-Speed 256K x 18 Synchronous Bank-Switchable Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of Read Cycle for Pipelined Operation
( ADS Operation) (PL/ FT 'X' = V IH ) (2)
t CYC2
CLK
CE 0
t CH2
t CL2
t SC
t HC
t SC
t HC
(3)
CE 1
UB / LB
R/ W
t SB
t SW
t SA
t HB
t HW
t HA
t SB
(5)
t HB
ADDRESS
(4)
An
An + 1
An + 2
An + 3
(1 Latency)
t CD2
t DC
DATA OUT
t CKLZ
(1)
Qn
Qn + 1
t OHZ
t OLZ
Qn + 2
(5)
OE
(1)
t OE
5629 drw 06
Timing Waveform of Read Cycle for Flow-through Output
(PL/ FT "X" = V IL ) (2,6)
t CYC1
CLK
CE 0
t CH1
t CL1
t SC
t HC
t SC
t HC
CE 1
t SB
t HB
(3)
BE n
R/ W
t SW t HW
t SA
t HA
t SB
(5)
t HB
ADDRESS
(4)
An
t CD1
An + 1
t DC
An + 2
An + 3
t CKHZ
DATA OUT
Qn
Qn + 1
Qn + 2 (5)
NOTES:
OE
(1)
t CKLZ
t OHZ
t OLZ
t OE
t DC
5629 drw 07
1. OE is asynchronously controlled; all other inputs are synchronous to the rising clock edge.
2. ADS = V IL , CNTEN and REPEAT = V IH .
3. The output is disabled (High-Impedance state) by CE 0 = V IH , CE 1 = V IL , UB / LB = V IH following the next rising edge of the clock. Refer to
Truth Table 1.
4. Addresses do not have to be accessed sequentially since ADS = V IL constantly loads the address on the rising edge of the CLK; numbers
are for reference use only.
5. If UB / LB was HIGH, then the appropriate Byte of DATA OUT for Qn + 2 would be disabled (High-Impedance state).
6. "x" denotes Left or Right port. The diagram is with respect to that port.
11
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GEM15DRMI-S288 | CONN EDGECARD 30POS .156 EXTEND |
| HCC43DRYS | CONN EDGECARD 86POS DIP .100 SLD |
| IDT70T633S15DD | IC SRAM 9MBIT 15NS 144TQFP |
| RAC15-0512TB-E | CONV AC/DC 2A 6.5-18VIN 3.0-5.5V |
| IDT70T633S12DDI | IC SRAM 9MBIT 12NS 144TQFP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70V7319S133DDI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 144TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ |
| IDT70V7319S166BC | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V7319S166BC8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V7319S166BCGI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 256BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V7319S166BCI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。