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参数资料
| 型号： | IDT70V7319S133DD |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 3/21页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 133MHZ 144TQFP |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 20/Aug/2008 |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 4.5M（256K x 18） |
| 速度： | 133MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.15 V ~ 3.45 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 144-LQFP 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 144-TQFP（20x20） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V7319S133DD |
IDT70V7319S
High-Speed 256K x 18 Synchronous Bank-Switchable Dual-Port Static RAM
Pin Configuration (1,2,3,4) (con't.)
70V7319BC
BC-256 (5)
256-Pin BGA
Industrial and Commercial Temperature Ranges
11/20/01
Top View (6)
A1
A2
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NC
TDI
NC
BA 5L
BA 2L
A 11L
A 8L
NC
CE 1L
OE L CNTEN L
A 5L
A 2L
A 0L
NC
NC
B1
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B9
B10
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NC
NC
TDO
NC
BA 3L
BA 0L
A 9L
UB L
CE 0L R/ W L REPEAT L
A 4L
A 1L
V DD
NC
NC
C1
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NC
I/O 9L
V SS
BA 4L
BA 1L
A 10L
A 7L
NC
LB L
CLK L ADS L
A 6L
A 3L
OPT L
NC
I/O 8L
D1
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NC
I/O 9R
NC
PL/ FT L V DDQL V DDQL V DDQR V DDQR V DDQL V DDQL V DDQR V DDQR V DD
NC
NC
I/O 8R
E1
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E14
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I/O 10R I/O 10L
NC
V DDQL
V DD
V DD
V SS
V SS
V SS
V SS
V DD
V DD V DDQR
NC
I/O 7L
I/O 7R
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I/O 11L
NC
I/O 11R V DDQL
V DD
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V DD V DDQR I/O 6R
NC
I/O 6L
G1
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NC
NC
I/O 12L V DDQR
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V DDQL I/O 5L
NC
NC
H1
NC
J1
H2
I/O 12R
J2
H3
NC
J3
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V DDQR
J4
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V SS
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V SS
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V SS
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V SS
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V SS
J9
H10
V SS
J10
H11
V SS
J11
H12
V SS
J12
H13
V DDQL
J13
H14
NC
J14
H15
NC
J15
H16
I/O 5R
J16
I/O 13L I/O 14R I/O 13R V DDQL
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V DDQR I/O 4R I/O 3R
I/O 4L
K1
K2
K3
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K16
NC
NC
I/O 14L V DDQL
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V DDQR
NC
NC
I/O 3L
L1
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L10
L11
L12
L13
L14
L15
L16
I/O 15L
NC
I/O 15R V DDQR
V DD
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V DD
V DDQL I/O 2L
NC
I/O 2R
M1
M2
M3
M4
M5
M6
M7
M8
M9
M10
M11
M12
M13
M14
M15
M16
I/O 16R I/O 16L
NC
V DDQR
V DD
V DD
V SS
V SS
V SS
V SS
V DD
V DD
V DDQL I/O 1R
I/O 1L
NC
N1
N2
N3
N4
N5
N6
N7
N8
N9
N10
N11
N12
N13
N14
N15
N16
NC
I/O 17R
NC
PL/ FT R V DDQR V DDQR V DDQL V DDQL V DDQR V DDQR V DDQL V DDQL
V DD
NC
I/O 0R
NC
P1
P2
P3
P4
P5
P6
P7
P8
P9
P10
P11
P12
P13
P14
P15
P16
NC
I/O 17L TMS
BA 4R BA 1R
A 10R
A 7R
NC
LB R
CLK R ADS R
A 6R
A 3R
NC
NC
I/O 0L
R1
NC
R2
NC
R3
TRST
R4
NC
R5 R6
BA 3R BA 0R
R7
A 9R
R8
UB R
R9 R10 R11
CE 0R R/ W R REPEAT R
R12
A 4R
R13
A 1R
R14
OPT R
R15
NC
R16
NC
,
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
T10
T11
T12
T13
T14
T15
T16
NC
TCK
NC
BA 5R
BA 2R
A 11R
A 8R
NC
CE 1R
OE R CNTEN R
A 5R
A 2R
A 0R
NC
NC
5629 drw 02d
NOTES:
1. All V DD pins must be connected to 3.3V power supply.
2. All V DDQ pins must be connected to appropriate power supply: 3.3V if OPT pin for that port is set to V IH (3.3V), and 2.5V if OPT pin for that port is
set to V IL (0V).
3. All V SS pins must be connected to ground supply.
4. Package body is approximately 17mm x 17mm x 1.4mm, with 1.0mm ball-pitch.
5. This package code is used to reference the package diagram.
6. This text does not indicate orientation of the actual part-marking.
3
6.42
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PDF描述 |
|---|---|
| GEM15DRMI-S288 | CONN EDGECARD 30POS .156 EXTEND |
| HCC43DRYS | CONN EDGECARD 86POS DIP .100 SLD |
| IDT70T633S15DD | IC SRAM 9MBIT 15NS 144TQFP |
| RAC15-0512TB-E | CONV AC/DC 2A 6.5-18VIN 3.0-5.5V |
| IDT70T633S12DDI | IC SRAM 9MBIT 12NS 144TQFP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70V7319S133DDI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 144TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ |
| IDT70V7319S166BC | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V7319S166BC8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V7319S166BCGI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 256BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V7319S166BCI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
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