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参数资料
| 型号： | IDT70V7319S200BC8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 15/21页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 200MHZ 256BGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 4.5M（256K x 18） |
| 速度： | 200MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.15 V ~ 3.45 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 256-LBGA |
| 供应商设备封装： | 256-CABGA（17x17） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 70V7319S200BC8 |
IDT70V7319S
High-Speed 256K x 18 Synchronous Bank-Switchable Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of Flow-Through Read-to-Write-to-Read ( OE = V IL ) (2)
t CYC1
CLK
CE 0
t CH1
t CL1
CE 1
t SC
t SB
t HC
t HB
UB / LB
t SW t HW
R/ W
t SW t HW
(3)
ADDRESS
An
An +1
An + 2
An + 2
An + 3
An + 4
t SA
t HA
t SD t HD
DATA IN
Dn + 2
DATA OUT
(1)
t CD1
Qn
t DC
t CD1
Qn + 1
t CKHZ
t CD1
t CKLZ
t CD1
Qn + 3
t DC
READ
NOP
(4)
WRITE
READ
5629 drw 14
Timing Waveform of Flow-Through Read-to-Write-to-Read ( OE Controlled) (2)
t CYC1
CLK
CE 0
CE 1
t CH1
t SC t HC
t CL1
t SB
t HB
UB / LB
t SW t HW
R/ W
t SW t HW
ADDRESS
(3)
An
An +1
An + 2
An + 3
An + 4
An + 5
t SA
t HA
t SD t HD
DATA IN
(1)
t CD1
t DC
Dn + 2
Dn + 3
t OE
t CD1
t CD1
DATA OUT
Qn
Qn + 4
OE
t OHZ
t CKLZ
t DC
NOTES:
READ
WRITE
READ
5629 drw 15
1. Output state (High, Low, or High-impedance) is determined by the previous cycle control signals.
2. CE 0 , UB / LB , and ADS = V IL ; CE 1 , CNTEN , and REPEAT = V IH .
3. Addresses do not have to be accessed sequentially since ADS = V IL constantly loads the address on the rising edge of the CLK; numbers are for
reference use only.
4. "NOP" is "No Operation." Data in memory at the selected address may be corrupted and should be re-written to guarantee data integrity.
15
6.42
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