- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录329 > IDT70V7599S133DRI (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 4MBIT 133MHZ 208QFP Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IDT70V7599S133DRI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 14/22页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 133MHZ 208QFP |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 4.5M（128K x 36） |
| 速度： | 133MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.15 V ~ 3.45 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 208-BFQFP |
| 供应商设备封装： | 208-PQFP（28x28） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V7599S133DRI |
IDT70V7599S
High-Speed 128K x 36 Synchronous Bank-Switchable Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of Port A Write to Pipelined Port B Read (1,2,4)
CLK "A"
R/ W "A"
t SW
t SA
t HW
t HA
BANK ADDRESS
AND ADDRESS "A"
An
t SD
t HD
DATA IN"A"
Dn
t CO (3)
CLK "B"
t CD2
R/ W "B"
t SW
t SA
t HW
t HA
BANK ADDRESS
AND ADDRESS "B"
DATA OUT"B"
An
Dn
t DC
5626 drw 10
NOTES:
1. CE 0 , BE n , and ADS = V IL ; CE 1 , CNTEN , and REPEAT = V IH .
2. OE = V IL for Port "B", which is being read from. OE = V IH for Port "A", which is being written to.
3. If t CO < minimum specified, then operations from both ports are INVALID. If t CO ≥ minimum, then data from Port "B" read is available on first Port "B" clock cycle
(ie, time from write to valid read on opposite port will be t CO + t CYC2 + t CD2 ).
4. All timing is the same for Left and Right ports. Port "A" may be either Left or Right port. Port "B" is the opposite of Port "A"
Timing Waveform with Port-to-Port Flow-Through Read (1,2,4)
CLK "A"
t SW t HW
R/ W "A"
t SA
t HA
BANK ADDRESS
AND ADDRESS "A"
An
t SD
t HD
DATA IN "A"
Dn
t CO (3)
CLK "B"
t CD1
R/ W "B"
BANK ADDRESS
AND ADDRESS "B"
t SW
t SA
An
t HW
t HA
DATA OUT "B"
NOTES:
t DC
Dn
t DC
5626 drw 11
1. CE 0 , BE n, and ADS = V IL ; CE 1 , CNTEN , and REPEAT = V IH .
2. OE = V IL for the Right Port, which is being read from. OE = V IH for the Left Port, which is being written to.
3. If t CO < minimum specified, then operations from both ports are INVALID. If t CO ≥ minimum, then data from Port "B" read is available on first Port "B" clock cycle
(i.e., time from write to valid read on opposite port will be t CO + t CD1 ).
4. All timing is the same for both left and right ports. Port "A" may be either left or right port. Port "B" is the opposite of Port "A".
14
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V9089L6PF | IC SRAM 512KBIT 6NS 100TQFP |
| IDT70V9169L7BFI | IC SRAM 144KBIT 7NS 100FBGA |
| IDT70V9189L9PFI | IC SRAM 576KBIT 9NS 100TQFP |
| IDT70V9199L9PFI | IC SRAM 1.125MBIT 9NS 100TQFP |
| IDT70V9279L7PRFI | IC SRAM 512KBIT 7NS 128TQFP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70V7599S166BC | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V7599S166BC8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V7599S166BCI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V7599S166BCI8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V7599S166BF | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。