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参数资料
| 型号： | IDT70V7599S133DRI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 9/22页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 133MHZ 208QFP |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 4.5M（128K x 36） |
| 速度： | 133MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.15 V ~ 3.45 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 208-BFQFP |
| 供应商设备封装： | 208-PQFP（28x28） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V7599S133DRI |
IDT70V7599S
High-Speed 128K x 36 Synchronous Bank-Switchable Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (5) (V DD = 3.3V ± 150mV)
70V7599S200 (7)
Com'l Only
70V7599S166 (6)
Com'l
& Ind
70V7599S133
Com'l
& Ind
Symbol
Parameter
Test Condition
Version
Typ. (4)
Max.
Typ. (4)
Max.
Typ. (4)
Max.
Unit
I DD
Dynamic Operating
CE L and CE R = V IL ,
COM'L
S
815
950
675
790
550
645
mA
Current (Both
Outputs Disabled,
Ports Active)
f = f MAX (1)
IND
S
____
____
675
830
550
675
I SB1
Standby Current
CE L = CE R = V IH
COM'L
S
340
410
275
340
250
295
mA
(Both Ports - TTL
f = f MAX (1)
Level Inputs)
IND
S
____
____
275
355
250
310
CE "A" = V IL and CE "B" = V IH
I SB2
Standby Current
(3)
COM'L
S
690
770
515
640
460
520
mA
(One Port - TTL
Active Port Outputs Disabled,
Level Inputs)
f=f MAX (1)
IND
S
____
____
515
660
460
545
I SB3
Full Standby Current
Both Ports CE L and CE R > V DDQ - 0.2V,
COM'L
S
10
30
10
30
10
30
mA
(Both Ports - CMOS
V IN > V DDQ - 0.2V or V IN < 0.2V,
Level Inputs)
f = 0 (2)
IND
S
____
____
10
40
10
40
I SB4
Full Standby Current
(One Port - CMOS
Level Inputs)
CE "A" < 0.2V and CE "B" > V DDQ - 0.2V (5)
V IN > V DDQ - 0.2V or V IN < 0.2V,
Active Port, Outputs Disabled,
f = f MAX (1)
COM'L
IND
S
S
690
____
770
____
515
515
640
660
460
460
520
545
mA
5626 tbl 09
NOTES:
1. At f = f MAX , address and control lines (except Output Enable) are cycling at the maximum frequency clock cycle of 1/t CYC , using "AC TEST CONDITIONS" at input
levels of GND to 3V.
2. f = 0 means no address, clock, or control lines change. Applies only to input at CMOS level standby.
3. Port "A" may be either left or right port. Port "B" is the opposite from port "A".
4. V DD = 3.3V, T A = 25°C for Typ, and are not production tested. I DD DC (f=0) = 120mA (Typ).
5. CE X = V IL means CE 0X = V IL and CE 1X = V IH
CE X = V IH means CE 0X = V IH or CE 1X = V IL
CE X < 0.2V means CE 0X < 0.2V and CE 1X > V DDQ - 0.2V
CE X > V DDQ - 0.2V means CE 0X > V DDQ - 0.2V or CE 1X < 0.2V
"X" represents "L" for left port or "R" for right port.
6. 166MHz Industrial Temperature not available in BF-208 package.
7. This speed grade available when V DDQ = 3.3.V for a specific port (i.e., OPTx = V IH ). This speed grade available in BC-256 package only.
9
6.42
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