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参数资料
型号： IDT70V9089L6PF
厂商： IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数： 5/19页
文件大小： 0K
描述： IC SRAM 512KBIT 6NS 100TQFP
标准包装： 6
格式 - 存储器： RAM
存储器类型： SRAM - 双端口，同步
存储容量： 512K (64K x 8)
速度： 6ns
接口： 并联
电源电压： 3 V ~ 3.6 V
工作温度： 0°C ~ 70°C
封装/外壳： 100-LQFP
供应商设备封装： 100-TQFP（14x14）
包装： 托盘
其它名称： 70V9089L6PF
IDT70V9089/79S/L
High Speed 3.3V 64/32K x 8 Synchronous Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (V DD = 3.3V ± 0.3V)
70V9089/79S
70V9089/79L
Symbol
|I LI |
|I LO |
V OL
V OH
Parameter
Input Leakage Current (1)
Output Leakage Current
Output Low Voltage
Output High Voltage
Test Conditions
V DD = 3.3V, V IN = 0V t o V DD
CE 0 = V IH or CE 1 = V IL , V OUT = 0V t o V DD
I OL = +4mA
I OH = -4mA
Min.
___
___
___
2.4
Max.
10
10
0.4
___
Min.
___
___
___
2.4
Max.
5
5
0.4
___
Unit
μA
μA
V
V
NOTE:
1. At V DD < 2.0V input leakages are undefined.
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (6) (V DD = 3.3V ± 0.3V)
3750 tbl 08
70V9089/79X6
Com'l Only
70V9089/79X7
Com'l Only
70V9089/79X9
Com'l
& Ind
Symbol
Parameter
Test Condition
Version
Typ. (4)
Max.
Typ. (4)
Max.
Typ. (4)
Max.
Unit
I CC
Dynamic Operating
Current
(Both Ports Active)
CE L and CE R = V IL
Outputs Disabled
f = f MAX (1)
COM'L
IND
S
L
S
220
220
____
395
350
____
200
200
____
335
290
____
180
180
180
260
225
270
mA
L
____
____
____
____
180
235
I SB1
Standby Current
CE L and CE R = V IH
COM'L
S
70
145
60
115
50
75
mA
(Both Ports - TTL
Level Inputs)
f = f MAX (1)
IND
L
S
L
70
____
____
130
____
____
60
____
____
100
____
____
50
50
50
65
85
75
I SB2
Standby Current
(One Port - TTL
CE "A" = V IL and
CE "B" = V IH (3)
COM'L
S
L
150
150
280
250
130
130
240
210
110
110
170
150
mA
Level Inputs)
Active Port Outputs Disabled,
f=f MAX (1)
IND
S
L
____
____
____
____
____
____
____
____
110
110
180
160
I SB3
Full Standby Current
(Both Ports -
Both Ports CE R and
CE L > V DD - 0.2V
COM'L
S
L
1.0
0.4
5
3
1.0
0.4
5
3
1.0
0.4
5
3
mA
CMOS Level Inputs)
V IN > V DD - 0.2V or
V IN < 0.2V, f = 0 (2)
IND
S
L
____
____
____
____
____
____
____
____
1.0
0.4
5
3
I SB4
Full Standby Current
(One Port -
CE "A" < 0.2V and
CE "B" > V DD - 0.2V (5)
COM'L
S
L
140
140
270
240
120
120
230
200
100
100
160
140
mA
CMOS Level Inputs)
V IN > V DD - 0.2V or
V IN < 0.2V, Active Port
Outputs Disabled, f = f MAX (1)
IND
S
L
____
____
____
____
____
____
____
____
100
100
170
150
NOTES:
3750 tbl 09a
1. At f = f MAX , address and control lines (except Output Enable) are cycling at the maximum frequency clock cycle of 1/t CYC , using "AC TEST CONDITIONS" at input
levels of GND to 3V.
2. f = 0 means no address, clock, or control lines change. Applies only to input at CMOS level standby.
3. Port "A" may be either left or right port. Port "B" is the opposite from port "A".
4. V DD = 3.3V, TA = 25°C for Typ, and are not production tested. I CC DC (f=0) = 90mA (Typ).
5. CE X = V IL means CE 0X = V IL and CE 1X = V IH
CE X = V IH means CE 0X = V IH or CE 1X = V IL
CE X < 0.2V means CE 0X < 0.2V and CE 1X > V DD - 0.2V
CE X > V DD - 0.2V means CE 0X > V DD - 0.2V or CE 1X < 0.2V
"X" represents "L" for left port or "R" for right port.
6. 'X' in part number indicates power rating (S or L).
5
6.42
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