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参数资料
| 型号： | IDT70V9089L6PF |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 7/19页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 512KBIT 6NS 100TQFP |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 512K (64K x 8) |
| 速度： | 6ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V9089L6PF |
IDT70V9089/79S/L
High Speed 3.3V 64/32K x 8 Synchronous Dual-Port Static RAM
AC Test Conditions
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
Output Reference Levels
Output Load
GND to 3.0V
3ns Max.
1.5V
1.5V
Figures 1,2 and 3
3750 tbl 10
DATA OUT
3.3V
590 ?
DATA OUT
3.3V
590 ?
435 ?
30pF
435 ?
5pF*
3750 drw 03
Figure 1. AC Output Test load.
3750 drw 04
Figure 2. Output Test Load
(For t CKLZ , t CKHZ , t OLZ , and t OHZ ).
*Including scope and jig.
8
7
6
5
-10 pF is the I/O capacitance
of this device, and 30pF is the
AC Test Load Capacitance
tCD 1 ,
tCD 2
(Typical, ns)
4
3
2
1
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
-1
Capacitance (pF)
,
3750 drw 05
Figure 3. Typical Output Derating (Lumped Capacitive Load).
7
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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