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参数资料
| 型号： | IDT70V9169L7BFI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 2/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 144KBIT 7NS 100FBGA |
| 标准包装： | 60 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 144K（16K x 9） |
| 速度： | 7ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 100-LFBGA |
| 供应商设备封装： | 100-CABGA（10x10） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V9169L7BFI |
NOTE:
.
A 13
sa
IDT70V9169/59L
NC
High-Speed 3.3V 16/8K x 9 Dual-Port Synchronous Pipelined Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
or
DT70V9159
Description:
The IDT70V9169/59 is a high-speed 16/8K x 9 bit synchronous
Dual-Port RAM. The memory array utilizes Dual-Port memory cells
to allow simultaneous access of any address from both ports.
Registers on control, data, and address inputs provide minimal setup
and hold times. The timing latitude provided by this approach allows
systems to be designed with very short cycle times.
Pin Configurations (1,2,3,4)
06/21/02
Index
With an input data register, the IDT70V9169/59 has been optimized
for applications having unidirectional or bidirectional data flow in bursts. An
automatic power down feature, controlled by CE 0 and CE 1, permits the
on-chip circuitry of each port to enter a very low standby power mode.
Fabricated using IDT’s CMOS high-performance technology, these
devices typically operate on only 450mW of power.
NC
NC
A 7L
A 8L
A 9L
A 10L
A 11L
A 12L
1
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100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81 80 79 78 77 76
75
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73
72
71
70
69
68
NC
NC
A 7R
A 8R
A 9R
A 10R
A 11R
A 12R
A 13L (1)
NC
NC
NC
V DD
NC
NC
NC
NC
CE 0L
CE 1L
CNTRST L
R/ W L
OE L
FT /PIPE L
NC
9
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20
21
22
23
24
70V9169/59PF
PN100-1 (5)
100-Pin TQFP
Top View (6)
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
A 13R (1)
NC
NC
NC
Vss
NC
NC
NC
NC
CE 0R
CE 1R
CNTRST R
R/ W R
OE R
FT /PIPE R
Vss
NC
25 51
26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50
NC
5655 drw 02
.
NOTES:
1. A 13 is a NC for IDT70V9159.
2. All V DD pins must be connected to power supply.
3. All V SS pins must be connected to ground supply.
4. Package body is approximately 14mm x 14mm x 1.4mm.
5. This package code is used to reference the package diagram.
6. This text does not indicate orientation of the actual part-marking.
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IDT70V9169L7PFGI | 功能描述:IC SRAM 144KBIT 7NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V9169L7PFGI8 | 功能描述:IC SRAM 144KBIT 7NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
| IDT70V9169L7PFI | 功能描述:IC SRAM 144KBIT 7NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
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