参数资料
型号: IDT70V9169L7BFI
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 3/16页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 144KBIT 7NS 100FBGA
标准包装: 60
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 双端口,同步
存储容量: 144K(16K x 9)
速度: 7ns
接口: 并联
电源电压: 3 V ~ 3.6 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 100-LFBGA
供应商设备封装: 100-CABGA(10x10)
包装: 托盘
其它名称: 70V9169L7BFI
IDT70V9169/59L
High-Speed 3.3V 16/8K x 9 Dual-Port Synchronous Pipelined Static RAM
Pin Configurations(cont'd) (1,2,3,4)
70V9169/59PF
BF100 (5)
100-Pin fpBGA
Top View (6)
06/21/02
Industrial and Commercial Temperature Ranges
A1
A 6R
B1
A 4R
C1
A2
A 9R
B2
A 5R
C2
A3
A 12R
B3
A 8R
C3
A4
NC
B4
A 10R
C4
A5
V SS
B5
NC
C5
A6
V SS
B6
NC
C6
A7
NC
B7
NC
C7
A8
R/ W R
B8
OE R
C8
A9
V SS
B9
NC
C9
A10
NC
B10
I/O 6R
C10
A 3R
NC
NC
A 7R
NC
CE 0R CE 1R PL/ FT R I/O 7R I/O 3R
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
D8
D9
D10
A 0R
CLK R
A 1R
A 2R
A 11R
A 13R (1) CNTRST R I/O 8R
I/O 5R I/O 1R
E1
V SS
F1
V SS
G1
E2
ADS R
F2
CLK L
G2
E3
CNTEN R
F3
A 0L
G3
E4
A 1L
F4
A 3L
G4
E5
ADS L
F5
V DD
G5
E6
V SS
F6
V SS
G6
E7
I/O 4R
F7
V DD
G7
E8
I/O 2R
F8
I/O 2L
G8
E9
I/O 0R
F9
I/O 1L
G9
E10
V DD
F10
I/O 0L
G10
CNTEN L
H1
A 2L
J1
NC
K1
NC
H2
A 4L
J2
A 7L
K2
A 5L
H3
A 9L
J3
A 10L
K3
A 12L
H4
A 13L (1)
J4
NC
K4
NC
H5
NC
J5
NC
K5
R/ W L
H6
CE 1L
J6
NC
K6
NC
H7
NC
J7
OE L
K7
I/O 4L
H8
I/O 7L
J8
V SS
K8
V SS
H9
I/O 6L
J9
V SS
K9
I/O 3L
H10
I/O 5L
J10
I/O 8L
K10
,
A 6L
A 8L
A 11L
NC
V DD
V DD
CE 0L
CNTRST L
PL/ FT L NC
5655 drw 03
NOTES:
1. A 13 is a NC for IDT70V9159.
2. All V DD pins must be connected to power supply.
3. All V SS pins must be connected to ground supply.
4. Package body is approximately 10mm x 10mm x 1.4mm with 0.8mm ball pitch.
5. This package code is used to reference the package diagram.
6. This text does not indicate orientation of the actual part-marking.
3
6.42
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