- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录4033 > IDT70V9269S9PRF8 (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 256KBIT 9NS 128TQFP PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT70V9269S9PRF8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 16/19页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 256KBIT 9NS 128TQFP |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 256K（16K x 16） |
| 速度： | 9ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 128-LQFP |
| 供应商设备封装： | 128-TQFP（14x20） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 70V9269S9PRF8 |
IDT70V9279/69S/L
High-Speed 32/16K x 16 Dual-Port Synchronous Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of Write with Address Counter Advance
(Flow-Through or Pipelined Outputs) (1)
t CYC2
CLK
t CH2
t CL2
t SA
t HA
ADDRESS
An
INTERNAL (3)
ADDRESS
An (7)
An + 1
An + 2
An + 3
An + 4
t SAD t HAD
ADS
CNTEN (7)
t SD t HD
DATA IN
Dn
Dn + 1
Dn + 1
Dn + 2
Dn + 3
Dn + 4
WRITE
EXTERNAL
ADDRESS
WRITE WRITE
WITH COUNTER COUNTER HOLD
WRITE WITH COUNTER
3743 drw 17
,
Timing Waveform of Counter Reset (Pipelined Outputs) (2)
t CYC2
t CH2
t CL2
CLK
t SA t HA
(4)
ADDRESS
An
An + 1
An + 2
INTERNAL (3)
ADDRESS
Ax
(6)
0
1
An
An + 1
t SW t HW
R/ W
ADS
CNTEN
t SA
D
t HAD
t SCN t HCN
t SRST t HRST
CNTRST
DATA IN
(5)
t SD
t HD
D 0
DATA OUT
Q 0
Q 1
Qn
COUNTER
RESET
(6)
WRITE
ADDRESS 0
READ
ADDRESS 0
READ
ADDRESS 1
READ
ADDRESS n
READ
ADDRESS n+1
,
NOTES:
1. CE 0 , UB , LB , and R/ W = V IL ; CE 1 and CNTRST = V IH .
3743 drw 18
2. CE 0 , UB , LB = V IL ; CE 1 = V IH .
3. The "Internal Address" is equal to the "External Address" when ADS = V IL and equals the counter output when ADS = V IH .
4. Addresses do not have to be accessed sequentially since ADS = V IL constantly loads the address on the rising edge of the CLK; numbers are for reference use only.
5. Output state (High, Low, or High-impedance) is determined by the previous cycle control signals.
6. No dead cycle exists during counter reset. A READ or WRITE cycle may be coincidental with the counter reset cycle. ADDR 0 will be accessed. Extra cycles
are shown here simply for clarification.
7. CNTEN = V IL advances Internal Address from ‘An’ to ‘An +1’. The transition shown indicates the time required for the counter to advance.
The ‘An +1’Address is written to during this cycle.
16
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FMC40DRYI-S734 | CONN EDGECARD 80POS DIP .100 SLD |
| IDT70V07S55J8 | IC SRAM 256KBIT 55NS 68PLCC |
| MC7448VS1267ND | IC MPU RISC 1267MHZ 360-FCCLGA |
| KMC7448VU1700LD | IC MPU 128BIT 1700MHZ 360-FCCBGA |
| KMC7448HX1267ND | IC MPU 128BIT 1267MHZ 360-FCCBGA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70V9279L12PRF | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 12NS 128TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V9279L12PRF8 | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 12NS 128TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V9279L6PRF | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 6NS 128TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V9279L6PRF8 | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 6NS 128TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V9279L7PRF | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 7NS 128TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。