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参数资料
| 型号： | IDT70V9269S9PRF8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 2/19页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 256KBIT 9NS 128TQFP |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 256K（16K x 16） |
| 速度： | 9ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 128-LQFP |
| 供应商设备封装： | 128-TQFP（14x20） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 70V9269S9PRF8 |
IDT70V9279/69S/L
High-Speed 32/16K x 16 Dual-Port Synchronous Static RAM
Description:
The IDT70V9279/69 is a high-speed 32/16K x 16 bit synchronous
Dual-Port RAM. The memory array utilizes Dual-Port memory cells to
allow simultaneous access of any address from both ports. Registers on
control, data, and address inputs provide minimal setup and hold times.
The timing latitude provided by this approach allows systems to be
designed with very short cycle times.
Pin Configuration (2,3,4)
01/15/04
Industrial and Commercial Temperature Ranges
With an input data register, the IDT70V9279/69 has been optimized for
applications having unidirectional or bidirectional data flow in bursts. An
automatic power down feature, controlled by CE 0 and CE 1, permits the
on-chip circuitry of each port to enter a very low standby power mode.
Fabricated using IDT’s CMOS high-performance technology, these
devices typically operate on only 429mW of power.
N/C
N/C
N/C
N/C
A 9R
A 8R
A 7R
A 6R
A 5R
A 4R
A 3R
A 2R
A 1R
A 0R
N/C
CNTEN R
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
102
101
100
99
98
97
96
95
94
93
92
91
90
89
88
87
I/O 10R
I/O 9R
V SS
N/C
I/O 8R
N/C
N/C
I/O 7R
V DD
I/O 6R
I/O 5R
I/O 4R
V SS
I/O 3R
V DD
I/O 2R
CLK R
ADS R
V SS
V DD
ADS L
CLK L
CNTEN L
N/C
A 0L
A 1L
A 2L
A 3L
A 4L
A 5L
A 6L
A 7L
A 8L
A 9L
N/C
N/C
N/C
N/C
17
18
19
20
21
22
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29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
70V9279/69PRF
PK-128 (5)
128-Pin TQFP
Top View (6)
86
85
84
83
82
81
80
79
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77
76
75
74
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71
70
69
68
67
66
65
I/O 1R
I/O 0R
V SS
V DD
I/O 0L
I/O 1L
V SS
I/O 2L
I/O 3L
V SS
I/O 4L
I/O 5L
I/O 6L
I/O 7L
V DD
N/C
N/C
I/O 8L
N/C
V DD
I/O 9L
I/O 10L
3743 drw 02
NOTES:
1. A 14X is a NC for IDT70V9269.
2. All V DD pins must be connected to power supply.
3. All V SS pins must be connected to ground.
4. Package body is approximately 14mm x 20mm x 1.4mm.
5. This package code is used to reference the package diagram.
6. This text does not indicate orientation of the actual part-marking.
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| IDT70V9279L12PRF8 | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 12NS 128TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V9279L6PRF | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 6NS 128TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V9279L6PRF8 | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 6NS 128TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V9279L7PRF | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 7NS 128TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
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