- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录4500 > IDT71016S12PHG8 (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 1MBIT 12NS 44TSOP PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT71016S12PHG8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 1MBIT 12NS 44TSOP |
| 标准包装： | 1 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 异步 |
| 存储容量： | 1M (64K x 16) |
| 速度： | 12ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 44-TSOP II |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1256 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 800-1402-6 |
CMOS Static RAM
1 Meg (64K x 16-Bit)
IDT71016S
64K x 16 advanced high-speed CMOS Static RAM
Equal access and cycle times
One Chip Select plus one Output Enable pin
Bidirectional data inputs and outputs directly TTL-
Low power consumption via chip deselect
Upper and Lower Byte Enable Pins
Commercial and industrial product available in 44-pin
Features
◆
◆
– Commercial : 12/15/20ns
– Industrial: 15/20ns
◆
◆
compatible
◆
◆
◆
Plastic SOJ package and 44-pin TSOP package
Functional Block Diagram
Description
The IDT71016 is a 1,048,576-bit high-speed Static RAM organized
as 64K x 16. It is fabricated using high-perfomance, high-reliability CMOS
technology. This state-of-the-art technology, combined with innovative
circuit design techniques, provides a cost-effective solution for high-speed
memory needs.
The IDT71016 has an output enable pin which operates as fast as 7ns,
with address access times as fast as 12ns. All bidirectional inputs and
outputs of the IDT71016 are TTL-compatible and operation is from a single
5V supply. Fully static asynchronous circuitry is used, requiring no clocks
or refresh for operation.
The IDT71016 is packaged in a JEDEC standard 44-pin Plastic SOJ
and 44-pin TSOP Type II.
OE
Output
Enable
Buffer
A0 - A15
Address
Buffers
Row / Column
Decoders
I/O 15
,
CS
Chip
Enable
8
High
Byte
I/O
8
Buffer
Buffer
I/O 8
64K x 16
Memory
16
Sense
Amps
and
WE
Write
Enable
Buffer
Array
Write
Drivers
8
Low
Byte
8
I/O 7
I/O
Buffer
I/O 0
BHE
Byte
Enable
Buffers
BLE
?2013 Integrated Device Technology, Inc.
1
3210 drw 01
SEPTEMBER 2013
DSC-3210/11
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EMC65DRTF-S13 | CONN EDGECARD 130POS .100 EXTEND |
| HCC65DRYN | CONN EDGECARD 130PS DIP .100 SLD |
| HCC65DRYH | CONN EDGECARD 130PS DIP .100 SLD |
| GSC35DTEI | CONN EDGECARD 70POS .100 EYELET |
| ACE50DHHR | CONN EDGECARD 100POS 1MM DIP SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT71016S12PHGI | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 12NS 44TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ |
| IDT71016S12PHGI8 | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 12NS 44TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ |
| IDT71016S12PHI | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 12NS 44TSOP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ |
| IDT71016S12PHI8 | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 12NS 44TSOP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ |
| IDT71016S12Y | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 12NS 44SOJ RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。