参数资料
型号: IDT71016S12PHG8
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 8/9页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 1MBIT 12NS 44TSOP
标准包装: 1
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 异步
存储容量: 1M (64K x 16)
速度: 12ns
接口: 并联
电源电压: 4.5 V ~ 5.5 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)
供应商设备封装: 44-TSOP II
包装: 标准包装
产品目录页面: 1256 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: 800-1402-6
IDT71016, CMOS Static RAM
1 Meg (64K x 16-bit)
Ordering Information
Commercial and Industrial Temperature Ranges
71016
Device
S
Power
XX
Speed
XXX
Package
X
X
Process/
X
Type
Temperature
Range
Blank
8
Blank
I
G
Y
PH
12 *
15
Tube or Tray
Tape and Reel
Commercial (0°C to +70°C)
Industrial (-40°C to +85°C)
Green
400-mil SOJ (SO44-1)
400-mil TSOP Type II (SO44-2)
Speed in nanoseconds
20
3210 drw 11
* Commercial temperature range only
8
6.42
相关PDF资料
PDF描述
EMC65DRTF-S13 CONN EDGECARD 130POS .100 EXTEND
HCC65DRYN CONN EDGECARD 130PS DIP .100 SLD
HCC65DRYH CONN EDGECARD 130PS DIP .100 SLD
GSC35DTEI CONN EDGECARD 70POS .100 EYELET
ACE50DHHR CONN EDGECARD 100POS 1MM DIP SLD
相关代理商/技术参数
参数描述
IDT71016S12PHGI 功能描述:IC SRAM 1MBIT 12NS 44TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步,DDR II 存储容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA(13x15) 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ
IDT71016S12PHGI8 功能描述:IC SRAM 1MBIT 12NS 44TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步,DDR II 存储容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA(13x15) 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ
IDT71016S12PHI 功能描述:IC SRAM 1MBIT 12NS 44TSOP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步,DDR II 存储容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA(13x15) 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ
IDT71016S12PHI8 功能描述:IC SRAM 1MBIT 12NS 44TSOP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步,DDR II 存储容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA(13x15) 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ
IDT71016S12Y 功能描述:IC SRAM 1MBIT 12NS 44SOJ RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步,DDR II 存储容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA(13x15) 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ