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参数资料
| 型号： | IDT71024MS15Y8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 1MBIT 15NS 32SOJ |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 29/Apr/2010 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 异步 |
| 存储容量： | 1M (128K x 8) |
| 速度： | 15ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 32-BSOJ |
| 供应商设备封装： | 32-SOJ |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 71024MS15Y8 |
CMOS Static RAM
1 Meg (128K x 8-Bit)
IDT71024S
128K x 8 advanced high-speed CMOS static RAM
Commercial (0°C to +70°C), Industrial (–40°C to +85°C)
Equal access and cycle times
Two Chip Selects plus one Output Enable pin
Bidirectional inputs and outputs directly
Low power consumption via chip deselect
Available in 300 and 400 mil Plastic SOJ.
Features
◆
◆
◆
— Commercial and Industrial: 12/15/20ns
◆
◆
TTL-compatible
◆
◆
Description
The IDT71024 is a 1,048,576-bit high-speed static RAM organized as
128K x 8. It is fabricated using high-performance, high-reliability CMOS
technology. This state-of-the-art technology, combined with innovative
circuit design techniques, provides a cost-effective solution for high-speed
memory needs.
The IDT71024 has an output enable pin which operates as fast
as 6ns, with address access times as fast as 12ns available. All
bidirectional inputs and outputs of the IDT71024 are TTL-compat-
ible, and operation is from a single 5V supply. Fully static asynchro-
nous circuitry is used; no clocks or refreshes are required for
operation.
The IDT71024 is packaged in 32-pin 300 mil Plastic SOJ and 32-
pin 400 mil Plastic SOJ.
Functional Block Diagram
FEBRUARY 2013
1
?2012 Integrated Device Technology, Inc.
DSC-2964/19
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EGM43DTBS | CONN EDGECARD 86POS R/A .156 SLD |
| IDT71024MS15Y | IC SRAM 1MBIT 15NS 32SOJ |
| T86C106M016ESSL | CAP TANT 10UF 16V 20% 2312 |
| IDT71016S20YI8 | IC SRAM 1MBIT 20NS 44SOJ |
| EN93F4 | BATTERY PK 6.0V C SIZE ALKALINE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT71024S12TY | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 12NS 32SOJ RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ |
| IDT71024S12TY8 | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 12NS 32SOJ RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ |
| IDT71024S12TYG | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 12NS 32SOJ RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:4G（256M x 16） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP I 包装:Digi-Reel® 其它名称:557-1461-6 |
| IDT71024S12TYG8 | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 12NS 32SOJ RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:256K (32K x 8) 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:28-TSSOP（0.465"，11.8mm 宽） 供应商设备封装:28-TSOP 包装:带卷 (TR) 其它名称:71V256SA15PZGI8 |
| IDT71024S12TYGI | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 12NS 32SOJ RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘 |
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