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参数资料
| 型号： | IDT71256SA25TPGI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 256KBIT 25NS 28DIP |
| 标准包装： | 28 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 异步 |
| 存储容量： | 256K (32K x 8) |
| 速度： | 25ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 28-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 28-PDIP |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1256 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 71256SA25TPGI 800-1434 800-1434-5 800-1434-ND |
IDT71256SA
CMOS Static RAM 256K (32K x 8-Bit)
AC Electrical Characteristics
(V CC = 5.0V ± 10%)
Commercial and Industrial Temperature Ranges
71256SA12
71256SA15
71256SA20
71256SA25
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
Read Cycle
t RC
t AA
t ACS
t CLZ (1)
t CHZ (1)
t OE
t OLZ (1)
t OHZ (1)
t OH
t PU (1)
t PD (1)
Read Cycle Time
Address Access Time
Chip Select Access Time
Chip Select to Output in Low-Z
Chip Sele ct to Output in High-Z
Output Enable to Output Valid
Output Enab le to Output in Low-Z
Output Disab le to Output in High-Z
Output Hold from Address Change
Chip Sele ct to Power Up Time
Chip Deselect to Power Down Time
12
____
____
4
0
____
0
0
3
0
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____
12
12
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6
6
____
6
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12
15
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4
0
____
0
0
3
0
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____
15
15
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7
7
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6
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15
20
____
____
4
0
____
0
0
3
0
____
____
20
20
____
10
10
____
8
____
____
20
25
____
____
4
0
____
0
0
3
0
____
____
25
25
____
11
11
____
10
____
____
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Write Cycle
t WC
t AW
t CW
t AS
t WP
t WR
t DW
t DH
t OW (1)
t WHZ (1)
Write Cycle Time
Address Valid to End-of-Write
Chip Select to End-of-Write
Address Set-up Time
Write Pulse Width
Write Recovery Time
Data Valid to End-of-Write
Data Hold Time
Output Active from End-of-Write
Write Enab le to Output in High-Z
12
9
9
0
8
0
6
0
4
0
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____
____
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6
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10
10
0
10
0
7
0
4
0
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6
20
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15
0
15
0
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0
4
0
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10
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0
20
0
13
0
4
0
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____
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____
11
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
NOTE:
1. This parameter is guaranteed with the AC Load (Figure 2) by device characterization, but is not production tested.
4
2948 tbl 09
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