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参数资料
| 型号： | IDT71256SA25TPGI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 256KBIT 25NS 28DIP |
| 标准包装： | 28 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 异步 |
| 存储容量： | 256K (32K x 8) |
| 速度： | 25ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 28-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 28-PDIP |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1256 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 71256SA25TPGI 800-1434 800-1434-5 800-1434-ND |
IDT71256SA
CMOS Static RAM 256K (32K x 8-Bit)
Timing Waveform of Read Cycle No. 1 (1)
ADDRESS
t AA
OE
t OE
t RC
Commercial and Industrial Temperature Ranges
CS
t OLZ
(5)
t ACS
(3)
t OHZ
(5)
t CLZ
(5)
t CHZ
(5)
DATA OUT
HIGH IMPEDANCE
DATA OUT VALID
V CC SUPPLY
I CC
t PU
t PD
CURRENT
I SB
2948 drw 05
,
Timing Waveform of Read Cycle No. 2 (1,2,4)
t RC
ADDRESS
t AA
t OH
t OH
DATA OUT
PREVIOUS DATA OUT VALID
DATA OUT VALID
2948 drw 06
,
NOTES:
1. WE is HIGH for Read Cycle.
2. Device is continuously selected, CS is LOW.
3. Address must be valid prior to or coincident with the later of CS transition LOW; otherwise t AA is the limiting parameter.
4. OE is LOW.
5. Transition is measured ±200mV from steady state.
5
6.42
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