参数资料
型号: IDT7140LA35PF
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 1/21页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 8KBIT 35NS 64TQFP
标准包装: 45
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 双端口,异步
存储容量: 8K (1K x 8)
速度: 35ns
接口: 并联
电源电压: 4.5 V ~ 5.5 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 64-LQFP
供应商设备封装: 64-TQFP(14x14)
包装: 托盘
其它名称: 7140LA35PF
HIGH SPEED
1K X 8 DUAL-PORT
STATIC SRAM
IDT7130SA/LA
IDT7140SA/LA
High-speed access
Low-power operation
Features
– Commercial: 20/25/35/55/100ns (max.)
– Industrial: 25/55/100ns (max.)
– Military: 25/35/55/100ns (max.)
– IDT7130/IDT7140SA
— Active: 550mW (typ.)
— Standby: 5mW (typ.)
– IDT7130/IDT7140LA
— Active: 550mW (typ.)
— Standby: 1mW (typ.)
On-chip port arbitration logic (IDT7130 Only)
BUSY output flag on IDT7130; BUSY input on IDT7140
INT flag for port-to-port communication
Fully asynchronous operation from either port
Battery backup operation–2V data retention (LA only)
TTL-compatible, single 5V ±10% power supply
Military product compliant to MIL-PRF-38535 QML
Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available
for selected speeds
Available in 48-pin DIP, LCC and Ceramic Flatpack, 52-pin
PLCC, and 64-pin STQFP and TQFP
MASTER IDT7130 easily expands data bus width to 16-or-
Green parts available, see ordering information
more-bits using SLAVE IDT7140
Functional Block Diagram
OE L
CE L
R/ W L
OE R
CE R
R/ W R
I/O 0L - I/O 7L
I/O
Control
I/O
Control
I/O 0R -I/O 7R
,
BUSY R
BUSY L
(1,2)
(1,2)
A 9L
A 0L
Address
Decoder
MEMORY
ARRAY
Address
Decoder
A 9R
A 0R
10
10
CE L
OE L
R/ W L
ARBITRATION
and
INTERRUPT
LOGIC
CE R
OE R
R/ W R
INT R
NOTES:
INT L
(2)
2689 drw 01
(2)
1. IDT7130 (MASTER): BUSY is open drain output and requires pullup resistor.
IDT7140 (SLAVE): BUSY is input.
2. Open drain output: requires pullup resistor.
?2013 Integrated Device Technology, Inc.
1
JANUARY 2013
DSC-2689/15
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PDF描述
AMC13DTEN CONN EDGECARD 26POS .100 EYELET
IDT7130LA35PF IC SRAM 8KBIT 35NS 64TQFP
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相关代理商/技术参数
参数描述
IDT7140LA35PF8 功能描述:IC SRAM 8KBIT 35NS 64TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA(6x8) 包装:带卷 (TR)
IDT7140LA55C 功能描述:IC SRAM 8KBIT 55NS 48DIP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
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IDT7140LA55J 功能描述:IC SRAM 8KBIT 55NS 52PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA(6x8) 包装:带卷 (TR)
IDT7140LA55J8 功能描述:IC SRAM 8KBIT 55NS 52PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA(6x8) 包装:带卷 (TR)