参数资料
型号: IDT7140LA35PF
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 9/21页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 8KBIT 35NS 64TQFP
标准包装: 45
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 双端口,异步
存储容量: 8K (1K x 8)
速度: 35ns
接口: 并联
电源电压: 4.5 V ~ 5.5 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 64-LQFP
供应商设备封装: 64-TQFP(14x14)
包装: 托盘
其它名称: 7140LA35PF
IDT7130SA/LA and IDT7140SA/LA
High-Speed 1K x 8 Dual-Port Static SRAM
AC Test Conditions
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
Output Reference Levels
Output Load
GND to 3.0V
5ns
1.5V
1.5V
Figures 1,2 and 3
2689 tbl 08
DATA OUT
5V
1250 ?
DATA OUT
5V
1250 ?
775 ?
30pF*
775 ?
5pF*
*100pF for 55 and 100ns versions
Figure 1. Output Test Load
Figure 2. Output Test Load
(for t HZ , t LZ , t WZ , and t OW )
* including scope and jig
5V
270 ?
BUSY or INT
30pF*
*100pF for 55 and 100ns versions
2689 drw 07
Figure 3. BUSY and INT
AC Output Test Load
9
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PDF描述
AMC13DTEN CONN EDGECARD 26POS .100 EYELET
IDT7130LA35PF IC SRAM 8KBIT 35NS 64TQFP
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相关代理商/技术参数
参数描述
IDT7140LA35PF8 功能描述:IC SRAM 8KBIT 35NS 64TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA(6x8) 包装:带卷 (TR)
IDT7140LA55C 功能描述:IC SRAM 8KBIT 55NS 48DIP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
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IDT7140LA55J8 功能描述:IC SRAM 8KBIT 55NS 52PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA(6x8) 包装:带卷 (TR)