- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录4112 > IDT71421LA20JG8 (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 16KBIT 20NS 52PLCC PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT71421LA20JG8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 4/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 16KBIT 20NS 52PLCC |
| 标准包装： | 400 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 16K (2K x 8) |
| 速度： | 20ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 52-LCC（J 形引线） |
| 供应商设备封装： | 52-PLCC（19x19） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 71421LA20JG8 |
IDT71321SA/LA and IDT71421SA/LA
High Speed 2K x 8 Dual-Port Static RAM with Interrupts
Industrial and Commercial Temperature Ranges
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (1,4) (V CC = 5.0V ± 10%)
71321X20
71421X20
Com'l Only
71321X25
71421X25
Com'l
& Ind
Symbol
Parameter
Test Condition
Version
Typ.
Max.
Typ.
Max.
Unit
I CC
Dynamic Operating
Current
(Both Ports Active)
CE L and CE R = V IL ,
Outputs Disabled
f = f MAX (2)
COM'L
IND
SA
LA
SA
110
110
____
250
200
____
110
110
110
220
170
270
mA
LA
____
____
110
220
I SB1
Standby Current
(Both Ports - TTL
CE L and CE R = V IH
f = f MAX (2)
COM'L
SA
LA
30
30
65
45
30
30
65
45
mA
Level Inputs)
IND
SA
LA
____
____
____
____
30
30
75
55
I SB2
Standby Current
(One Port - TTL
Level Inputs)
CE "A" = V IL and CE "B" = V IH (5)
Active Port Outputs Disabled,
f=f MAX (2)
COM'L
IND
SA
LA
SA
65
65
____
165
125
____
65
65
65
150
115
170
mA
LA
____
____
65
140
I SB3
Full Standby Current
(Both Ports -
CMOS Level Inputs)
CE L and
CE R > V CC - 0.2V,
V IN > V CC - 0.2V or
V IN < 0.2V, f = 0 (3)
COM'L
IND
SA
LA
SA
1.0
0.2
____
15
5
____
1.0
0.2
1.0
15
5
30
mA
LA
____
____
0.2
10
I SB4
Full Standby Current
(One Port -
CMOS Level Inputs)
CE "A" < 0.2V and
CE "B" > V CC - 0.2V (5)
V IN > V CC - 0.2V or V IN < 0.2V
Active Port Outputs Disabled,
f = f MAX (2)
COM'L
IND
SA
LA
SA
LA
60
60
____
____
155
115
____
____
60
60
60
60
145
105
165
130
mA
2691 tbl 04a
71321X35
71421X35
Com'l Only
71321X55
71421X55
Com'l
& Ind
Symbol
Parameter
Test Condition
Version
Typ.
Max.
Typ.
Max.
Unit
I CC
Dynamic Operating
Current
(Both Ports Active)
CE L and CE R = V IL ,
Outputs Disabled
f = f MAX (2)
COM'L
IND
SA
LA
SA
80
80
____
165
120
____
65
65
65
155
110
190
mA
LA
____
____
65
140
I SB1
Standby Current
(Both Ports - TTL
CE L and CE R = V IH
f = f MAX (2)
COM'L
SA
LA
25
25
65
45
20
20
65
35
mA
Level Inputs)
IND
SA
LA
____
____
____
____
20
20
70
50
I SB2
Standby Current
(One Port - TTL
Level Inputs)
CE "A" = V IL and CE "B" = V IH (5)
Active Port Outputs Disabled,
f=f MAX (2)
COM'L
IND
SA
LA
SA
50
50
____
125
90
____
40
40
40
110
75
125
mA
LA
____
____
40
90
I SB3
Full Standby Current
(Both Ports -
CMOS Level Inputs)
CE L and
CE R > V CC - 0.2V,
V IN > V CC - 0.2V or
V IN < 0.2V, f = 0 (3)
COM'L
IND
SA
LA
SA
1.0
0.2
____
15
4
____
1.0
0.2
1.0
15
4
30
mA
LA
____
____
0.2
10
I SB4
Full Standby Current
(One Port -
CMOS Level Inputs)
CE "A" < 0.2V and
CE "B" > V CC - 0.2V (5)
V IN > V CC - 0.2V or V IN < 0.2V
Active Port Outputs Disabled,
f = f MAX (2)
COM'L
IND
SA
LA
SA
LA
45
45
____
____
110
85
____
____
40
40
40
40
100
70
110
85
mA
NOTES:
2691 tbl 04b
1. 'X' in part numbers indicates power rating (SA or LA).
2. At f = f MAX , address and control lines (except Output Enable) are cycling at the maximum frequency read cycle of 1/t RC , and using “AC TEST CONDITIONS” of input
levels of GND to 3V.
3. f = 0 means no address or control lines change. Applies only to inputs at CMOS level standby.
4. Vcc = 5V, T A =+25°C for Typ and is not production tested. Vcc DC = 100mA (Typ)
5. Port "A" may be either left or right port. Port "B" is opposite from port "A".
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ATF20V8B-10PU | IC PLD 10NS 24DIP |
| ATF16LV8C-10PI | IC PLD EE 8CELL 3V LP 20-DIP |
| ASM44DRKF | CONN EDGECARD 88POS DIP .156 SLD |
| FMM36DSEN-S243 | CONN EDGECARD 72POS .156 EYELET |
| 1-2013496-6 | CONN FPC 41POS .3MM FLIP LOC SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT71421LA20PF | 功能描述:IC SRAM 16KBIT 20NS 64TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
| IDT71421LA20PF8 | 功能描述:IC SRAM 16KBIT 20NS 64TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
| IDT71421LA20PFG | 功能描述:IC SRAM 16KBIT 20NS 64TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
| IDT71421LA20PFG8 | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 16KBIT 20NS 64TQFP |
| IDT71421LA25J | 功能描述:IC SRAM 16KBIT 25NS 52PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。