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参数资料
| 型号： | IDT7164L25YG8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 64KBIT 25NS 28SOJ |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 异步 |
| 存储容量： | 64K (8K x 8) |
| 速度： | 25ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 28-BSOJ |
| 供应商设备封装： | 28-SOJ |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 7164L25YG8 |
IDT7164S/L
CMOS Static RAM 64K (8K x 8-Bit)
Military, Commercial, and Industrial Temperature Ranges
AC Electrical Characteristics (V CC = 5.0V ± 10%, All Temperature Ranges)
7 1 6 4 S 2 0
7 1 6 4 L 2 0
7 1 6 4 S 2 5
7 1 6 4 L 2 5
S y m b o l
P a r a m e t e r
M i n .
M a x .
M i n .
M a x .
U n i t
R e a d C y c l e
t R C
t A A
t A C S 1 ( 1 )
t A C S 2 ( 1 )
t C L Z 1 , 2 ( 2 )
t O E
t O L Z ( 2 )
t C H Z 1 , 2 ( 2 )
t O H Z ( 2 )
t O H
t P U ( 2 )
t P D ( 2 )
R e a d C y c l e T i m e
A d d r e s s A c c e s s T i m e
C h i p S e l e c t - 1 A c c e s s T i m e
C h i p S e l e c t - 2 A c c e s s T i m e
C h i p S e l e c t - 1 , 2 t o O u t p u t i n L o w - Z
O u t p u t E n a b l e t o O u t p u t V a l i d
O u t p u t E n a b l e t o O u t p u t i n L o w - Z
C h i p S e l e c t - 1 , 2 t o O u t p u t i n H i g h - Z
O u t p u t D i s a b l e t o O u t p u t i n H i g h - Z
O u t p u t H o l d f r o m A d d r e s s C h a n g e
C h i p S e l e c t t o P o w e r U p T i m e
C h i p D e s e l e c t t o P o w e r D o w n T i m e
2 0
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5
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0
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5
0
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1 9
2 0
2 5
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8
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9
8
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2 0
2 5
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5
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0
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5
0
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2 5
2 5
3 0
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1 2
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1 3
1 0
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2 5
n s
n s
n s
n s
n s
n s
n s
n s
n s
n s
n s
n s
W r i t e C y c l e
t W C
t C W 1 , 2
t A W
t A S
t W P
t W R 1
t W R 2
t W H Z ( 2 )
t D W
t D H 1
t D H 2
t O W ( 2 )
W r i t e C y c l e T i m e
C h i p S e l e c t t o E n d - o f - W r i t e
A d d r e s s V a l i d t o E n d - o f - W r i t e
A d d r e s s S e t - u p T i m e
W r i t e P u l s e W i d t h
W r i t e R e c o v e r y T i m e ( C S 1 , W E )
W r i t e R e c o v e r y T i m e ( C S 2 )
W r i t e E n a b l e t o O u t p u t i n H i g h - Z
D a t a t o W r i t e T i m e O v e r l a p
D a t a H o l d f r o m W r i t e T i m e ( C S 1 , W E )
D a t a H o l d f r o m W r i t e T i m e ( C S 2 )
O u t p u t A c t i v e f r o m E n d - o f - W r i t e
2 0
1 5
1 5
0
1 5
0
5
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1 0
0
5
4
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8
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2 5
1 8
1 8
0
2 1
0
5
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1 3
0
5
4
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1 0
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n s
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n s
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n s
n s
n s
n s
n s
n s
n s
n s
NOTES:
1. Both chip selects must be active for the device to be selected.
2. This parameter is guaranteed by device characterization, but is not production tested.
5
6.42
2 9 6 7 t b l 1 2
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