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参数资料
| 型号： | IDT71T75902S75PFI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 4/26页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 18MBIT 75NS 100TQFP |
| 标准包装： | 72 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 ZBT |
| 存储容量： | 18M（1M x 18） |
| 速度： | 75ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.375 V ~ 2.625 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 71T75902S75PFI |
IDT71T75702, IDT71T75902, 512K x 36, 1M x 18, 2.5V Synchronous ZBT? SRAMs with
2.5V I/O, Burst Counter and Flow-Through Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
Functional Block Diagram ? 1M x 18
LBO
1M x 18 BIT
Address A [0:19]
D
Q
MEMORY ARRAY
Address
CE 1 , CE 2 CE 2
R/ W
D
Q
Control
CEN
ADV/ LD
BW x
DI
DO
D
Clk
Q
Control Logic
Clock
OE
Gate
Mux
Sel
TMS
TDI
TCK
JTAG
TDO
Data I/O [0:15], I/O P[1:2]
5319 drw 01a
,
TRST
(optional)
Recommended DC Operating
Conditions
Symbol
V DD
V DDQ
V SS
V IH
V IH
Parameter
Core Supply Voltage
I/O Supply Voltage
Ground
Input High Voltage — Inputs
Input High Voltage — I/O
Min.
2.375
2.375
0
1.7
1.7
Typ.
2.5
2.5
0
____
____
Max.
2.625
2.625
0
V DD +0.3
V DDQ +0.3 (2)
Unit
V
V
V
V
V
V IL
Input Low Voltage
-0.3
(1)
____
0.7
V
5319 tbl 03
NOTE:
1. V IL (min.) = –0.8V for pulse width less than t CYC /2, once per cycle.
6.42
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PDF描述 |
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| VI-2ND-EV-S | CONVERTER MOD DC/DC 85V 150W |
| VI-26P-EV-S | CONVERTER MOD DC/DC 13.8V 150W |
| EMM36DRTF-S13 | CONN EDGECARD 72POS .156 EXTEND |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IDT71T75902S80BG8 | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 80NS 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA（14x22） 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI |
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