参数资料
型号: IDT71T75902S75PFI
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 7/26页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 18MBIT 75NS 100TQFP
标准包装: 72
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 同步 ZBT
存储容量: 18M(1M x 18)
速度: 75ns
接口: 并联
电源电压: 2.375 V ~ 2.625 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 100-LQFP
供应商设备封装: 100-TQFP(14x14)
包装: 托盘
其它名称: 71T75902S75PFI
IDT71T75702, IDT71T75902, 512K x 36, 1M x 18, 2.5V Synchronous ZBT? SRAMs with
2.5V I/O, Burst Counter and Flow-Through Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
Pin Configuration ? 512K x 36, 119 BGA (1,2,3,4)
1
2
3
4
5
6
7
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
V DDQ
NC
NC
I/O 16
I/O 17
V DDQ
I/O 20
I/O 22
V DDQ
I/O 24
I/O 25
V DDQ
I/O 29
I/O 31
NC
NC
A 6
CE 2
A 7
I/O P3
I/O 18
I/O 19
I/O 21
I/O 23
V DD
I/O 26
I/O 27
I/O 28
I/O 30
I/O P4
A 5
NC
A 4
A 3
A 2
V SS
V SS
V SS
BW 3
V SS
V DD (2)
V SS
BW 4
V SS
V SS
V SS
LBO
A 10
A 18
ADV/ LD
V DD
NC
CE 1
OE
A 17
R/ W
V DD
CLK
NC
CEN
A 1
A 0
V DD
A 11
A 8
A 9
A 12
V SS
V SS
V SS
BW 2
V SS
V SS (1)
V SS
BW 1
V SS
V SS
V SS
V SS (1)
A 14
A 16
CE 2
A 15
I/O P2
I/O 13
I/O 12
I/O 11
I/O 9
V DD
I/O 6
I/O 4
I/O 3
I/O 2
I/O P1
A 13
(4)
V DDQ
NC
NC
I/O 15
I/O 14
V DDQ
I/O 10
I/O 8
V DDQ
I/O 7
I/O 5
V DDQ
I/O 1
I/O 0
NC
ZZ
NC/TDI
U
V DDQ
NC/TMS (3)
(3)
NC/TCK (3)
NC/TDO
(3)
NC/ TRST (3,5)
V DDQ
5319 tbl 25
Top View
Pin Configurations ? 1M x 18, 119 BGA (1,2,3,4)
1
2
3
4
5
6
7
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
V DDQ
NC
NC
I/O 8
NC
V DDQ
NC
I/O 11
V DDQ
NC
I/O 13
V DDQ
I/O 15
NC
NC
NC
A 6
CE 2
A 7
NC
I/O 9
NC
I/O 10
NC
V DD
I/O 12
NC
I/O 14
NC
I/O P2
A 5
A 10
A 4
A 3
A 2
V SS
V SS
V SS
BW 2
V SS
V DD (2)
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
LBO
A 15
A 19
ADV/ LD
V DD
NC
CE 1
OE
A 18
R/ W
V DD
CLK
NC
CEN
A 1
A 0
V DD
NC (4)
A 8
A 9
A 13
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS
V SS (1)
V SS
BW 1
V SS
V SS
V SS
V SS (1)
A 14
A 16
CE 2
A 17
I/O P1
NC
I/O 6
NC
I/O 4
V DD
NC
I/O 2
NC
I/O 1
NC
A 12
A 11
V DDQ
NC
NC
NC
I/O 7
V DDQ
I/O 5
NC
V DDQ
I/O 3
NC
V DDQ
NC
I/O 0
NC
ZZ
NC/TDI
NC/TDO
NC/ TRST
U
V DDQ
NC/TMS
(3)
(3)
NC/TCK
(3)
(3)
(3,5)
V DDQ
5319 tbl 25a
NOTES:
Top View
1. Pins R5 and J5 do not have to be connected directly to V SS as long as the input voltage is < V IL .
2. Pin J3 does not have to be connected directly to V DD as long as the input voltage is > V IH .
3. U2, U3, U4 and U6 will be pulled internally to V DD if not actively driven. To disable the TAP controller without interfering with normal operation, several
settings are possible. U2, U3, U4 and U6 could be tied to VDD or VSS and U5 should be left unconnected. Or all JTAG inputs(TMS, TDI, and TCK and TRST )
U2, U3, U4 and U6 could be left unconnected “NC” and the JTAG circuit will remain disabled from power up.
4. The 36M address will be ball T6 (for the 512K x 36 device) and ball T4 (for the 1M x 18 device).
5. TRST is offered as an optional JTAG reset if required in the application. If not needed, can be left floating and will internally be pulled to V DD .
7
6.42
相关PDF资料
PDF描述
ESM36DRTF-S13 CONN EDGECARD 72POS .156 EXTEND
V300A8C300BL3 CONVERTER MOD DC/DC 8V 300W
VI-2ND-EV-S CONVERTER MOD DC/DC 85V 150W
VI-26P-EV-S CONVERTER MOD DC/DC 13.8V 150W
EMM36DRTF-S13 CONN EDGECARD 72POS .156 EXTEND
相关代理商/技术参数
参数描述
IDT71T75902S75PFI8 功能描述:IC SRAM 18MBIT 75NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M(128K x 36) 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA(14x22) 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI
IDT71T75902S80BG 功能描述:IC SRAM 18MBIT 80NS 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M(128K x 36) 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA(14x22) 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI
IDT71T75902S80BG8 功能描述:IC SRAM 18MBIT 80NS 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M(128K x 36) 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA(14x22) 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI
IDT71T75902S80BGG 功能描述:IC SRAM 18MBIT 80NS 119BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M(128K x 36) 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA(14x22) 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI
IDT71T75902S80BGG8 功能描述:IC SRAM 18MBIT 80NS 119BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M(128K x 36) 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA(14x22) 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI