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参数资料
| 型号： | IDT71T75902S85BGGI8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 4/26页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 18MBIT 85NS 119BGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 ZBT |
| 存储容量： | 18M（1M x 18） |
| 速度： | 85ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.375 V ~ 2.625 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 119-BGA |
| 供应商设备封装： | 119-PBGA（14x22） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 71T75902S85BGGI8 |
IDT71T75702, IDT71T75902, 512K x 36, 1M x 18, 2.5V Synchronous ZBT? SRAMs with
2.5V I/O, Burst Counter and Flow-Through Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
Functional Block Diagram ? 1M x 18
LBO
1M x 18 BIT
Address A [0:19]
D
Q
MEMORY ARRAY
Address
CE 1 , CE 2 CE 2
R/ W
D
Q
Control
CEN
ADV/ LD
BW x
DI
DO
D
Clk
Q
Control Logic
Clock
OE
Gate
Mux
Sel
TMS
TDI
TCK
JTAG
TDO
Data I/O [0:15], I/O P[1:2]
5319 drw 01a
,
TRST
(optional)
Recommended DC Operating
Conditions
Symbol
V DD
V DDQ
V SS
V IH
V IH
Parameter
Core Supply Voltage
I/O Supply Voltage
Ground
Input High Voltage — Inputs
Input High Voltage — I/O
Min.
2.375
2.375
0
1.7
1.7
Typ.
2.5
2.5
0
____
____
Max.
2.625
2.625
0
V DD +0.3
V DDQ +0.3 (2)
Unit
V
V
V
V
V
V IL
Input Low Voltage
-0.3
(1)
____
0.7
V
5319 tbl 03
NOTE:
1. V IL (min.) = –0.8V for pulse width less than t CYC /2, once per cycle.
6.42
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PDF描述 |
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| EEC05DRES-S734 | CONN EDGECARD 10POS .100 EYELET |
| IDT71T75902S85BGGI | IC SRAM 18MBIT 85NS 119BGA |
| GCB106DHFT-S621 | CONN EDGECARD 212POS .050 SMD |
| GSA44DTKH-S288 | CONN EDGECARD 88POS .125 EXTEND |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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