参数资料
型号: IDT71T75902S85BGGI8
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 9/26页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 18MBIT 85NS 119BGA
标准包装: 1,000
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 同步 ZBT
存储容量: 18M(1M x 18)
速度: 85ns
接口: 并联
电源电压: 2.375 V ~ 2.625 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 119-BGA
供应商设备封装: 119-PBGA(14x22)
包装: 带卷 (TR)
其它名称: 71T75902S85BGGI8
IDT71T75702, IDT71T75902, 512K x 36, 1M x 18, 2.5V Synchronous ZBT? SRAMs with
2.5V I/O, Burst Counter and Flow-Through Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
Linear Burst Sequence Table ( LBO =V SS )
Sequence 1
Sequence 2
Sequence 3
Sequence 4
A1
A0
A1
A0
A1
A0
A1
A0
First Address
Second Address
Third Address
Fourth Address (1)
0
0
1
1
0
1
0
1
0
1
1
0
1
0
1
0
1
1
0
0
0
1
0
1
1
0
0
1
1
0
1
0
NOTE:
1. Upon completion of the Burst sequence the counter wraps around to its initial state and continues counting.
Functional Timing Diagram (1)
5319 tbl 11
CYCLE
n+29
n+30
n+31
n+32
n+33
n+34
n+35
n+36
n+37
CLOCK
ADDRESS
(2)
A29
A30
A31
A32
A33
A34
A35
A36
A37
(A 0 - A 18 )
CONTROL
(2)
C29
C30
C31
C32
C33
C34
C35
C36
C37
(R/ W , ADV/ LD , BW x)
DATA
(2)
D/Q28
D/Q29
D/Q30
D/Q31
D/Q32
D/Q33
D/Q34
D/Q35
D/Q36
I/O [0:31], I/O P[1:4]
5319 drw 03
,
NOTES:
1. This assumes CEN , CE 1 , CE 2 and CE 2 are all true.
2. All Address, Control and Data_In are only required to meet set-up and hold time with respect to the rising edge of clock. Data_Out is valid after a clock-to-data
delay from the rising edge of clock.
9
6.42
相关PDF资料
PDF描述
VI-JNH-CX-F3 CONVERTER MOD DC/DC 52V 75W
EEC05DRES-S734 CONN EDGECARD 10POS .100 EYELET
IDT71T75902S85BGGI IC SRAM 18MBIT 85NS 119BGA
GCB106DHFT-S621 CONN EDGECARD 212POS .050 SMD
GSA44DTKH-S288 CONN EDGECARD 88POS .125 EXTEND
相关代理商/技术参数
参数描述
IDT71T75902S85BGI 功能描述:IC SRAM 18MBIT 85NS 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M(128K x 36) 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA(14x22) 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI
IDT71T75902S85BGI8 功能描述:IC SRAM 18MBIT 85NS 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M(128K x 36) 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA(14x22) 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI
IDT71T75902S85PF 功能描述:IC SRAM 18MBIT 85NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M(128K x 36) 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA(14x22) 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI
IDT71T75902S85PF8 功能描述:IC SRAM 18MBIT 85NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M(128K x 36) 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA(14x22) 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI
IDT71T75902S85PFI 功能描述:IC SRAM 18MBIT 85NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M(128K x 36) 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA(14x22) 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI