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参数资料
| 型号： | IDT71V016SA10PHG |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 1MBIT 10NS 44TSOP |
| 标准包装： | 26 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 异步 |
| 存储容量： | 1M (64K x 16) |
| 速度： | 10ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.15 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 44-TSOP II |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 71V016SA10PHG IDT71V016SA10PHG-ND |
IDT71V016SA, 3.3V CMOS Static RAM
1 Meg (64K x 16-Bit)
AC Test Conditions
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
Output Reference Levels
AC Test Load
GND to 3.0V
1.5ns
1.5V
1.5V
See Figure 1, 2 and 3
Commercial and Industrial Temperature Ranges
3834 tbl 09
AC Test Loads
3.3V
+1.5V
50 Ω
DATA OUT
320 Ω
I/O
Z 0 = 50 Ω
5pF*
350 Ω
30pF
3834 drw 03
3834 drw 04
*Including jig and scope capacitance.
Figure 1. AC Test Load
7
Figure 2. AC Test Load
(for t CLZ , t OLZ , t CHZ , t OHZ , t OW, and t WHZ )
?
Δ t AA, t ACS
6
(Typical, ns) 5
4
3
2
?
?
?
1
?
?
?
8 20 40
60 80 100 120 140 160 180 200
CAPACITANCE (pF)
Figure 3. Output Capacitive Derating
4
3834 drw 05
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