- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录4197 > IDT71V016SA20BFI8 (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 1MBIT 20NS 48FBGA PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT71V016SA20BFI8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 1MBIT 20NS 48FBGA |
| 标准包装： | 2,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 异步 |
| 存储容量： | 1M (64K x 16) |
| 速度： | 20ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 48-LFBGA |
| 供应商设备封装： | 48-CABGA（7x7） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 71V016SA20BFI8 |
IDT71V016SA, 3.3V CMOS Static RAM
1 Meg (64K x 16-Bit)
Commercial and Industrial Temperature Ranges
Timing Waveform of Write Cycle No. 2 ( CS Controlled Timing) (1,4)
t WC
ADDRESS
t AW
CS
BHE , BLE
WE
DATA OUT
t AS
t BW
t WP
t CW (2)
t WR
t DW
t DH
DATA IN
DATA IN VALID
3834 drw 09
Timing Waveform of Write Cycle No. 3 ( BHE , BLE Controlled Timing) (1,4)
t WC
ADDRESS
t AW
CS
BHE, BLE
t AS
t CW
(2)
t BW
WE
DATA OUT
t WP
t DW
t WR
t DH
DATA IN
DATA IN VALID
3834 drw 10
NOTES:
1. A write occurs during the overlap of a LOW CS , LOW BHE or BLE , and a LOW WE .
2. OE is continuously HIGH. If during a WE controlled write cycle OE is LOW, t WP must be greater than or equal to t WHZ + t DW to allow the I/O drivers to turn off and data to be placed
on the bus for the required t DW . If OE is HIGH during a WE controlled write cycle, this requirement does not apply and the minimum write pulse is as short as the specified t WP .
3. During this period, I/O pins are in the output state, and input signals must not be applied.
4. If the CS LOW or BHE and BLE LOW transition occurs simultaneously with or after the WE LOW transition, the outputs remain in a high-impedance state.
5. Transition is measured ±200mV from steady state.
7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HSC15DTEF | CONN EDGECARD 30POS .100 EYELET |
| HMC65DRTN | CONN EDGECARD 130PS DIP .100 SLD |
| XCV1000E-7FG680I | IC FPGA 1.8V I-TEMP 680-FBGA |
| XC4VFX100-10FF1517I | IC FPGA VIRTEX-4FX 1517FFBGA |
| XCV1000E-8BG560C | IC FPGA 1.8V C-TEMP 560-MBGA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT71V016SA20PH | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 20NS 44TSOP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA（14x22） 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI |
| IDT71V016SA20PH8 | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 20NS 44TSOP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA（14x22） 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI |
| IDT71V016SA20PHG | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 20NS 44TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,500 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（单线） 电源电压:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） 供应商设备封装:8-MSOP 包装:带卷 (TR) |
| IDT71V016SA20PHG8 | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 20NS 44TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:256K (32K x 8) 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:28-TSSOP（0.465"，11.8mm 宽） 供应商设备封装:28-TSOP 包装:带卷 (TR) 其它名称:71V256SA15PZGI8 |
| IDT71V016SA20PHGI | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 20NS 44TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。