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参数资料
| 型号： | IDT71V016SA20BFI8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 9/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 1MBIT 20NS 48FBGA |
| 标准包装： | 2,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 异步 |
| 存储容量： | 1M (64K x 16) |
| 速度： | 20ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 48-LFBGA |
| 供应商设备封装： | 48-CABGA（7x7） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 71V016SA20BFI8 |
IDT71V016SA, 3.3V CMOS Static RAM
1 Meg (64K x 16-bit)
Datasheet Document History
Commercial and Industrial Temperature Ranges
01/07/00
Pg. 1, 3, 5, 8
Pg. 2
Pg. 6
Pg. 7
Pg. 9
Updated to new format
Added Industrial Temperature range offerings
Numbered I/Os and address pins on FBGA Top View
Revised footnotes on Write Cycle No. 1 diagram
Revised footnotes on Write Cycle No. 2 and No. 3 diagrams
Added Datasheet Document History
08/30/00
08/22/01
06/20/02
01/30/04
09/27/06
02/14/07
06/26/07
10/13/08
10/11/11
08/13/13
Pg. 3
Pg. 5
Pg. 8
Pg. 8
Pg. 8
Pg. 8
Pg.8
Pg.3
Pg.8
Pg.1,8
Pg.1,3,5,8
Tighten I CC and I SB .
Tighten t CLZ , t CHZ, t OHZ , t BHZ and t WHZ
Removed footnote "available in 15ns and 20ns only"
Added tape and reel field to ordering information
Added "Restricted hazardous substance device" to ordering information.
Corrected ordering information, changed position of I and G.
Added H step generation to data sheet ordering information.
Changed typical parameters for ICC, DC electrical characteristics table.
Removed "IDT" from orderable part number
Updated datasheet with removal of Obsolete HSA part number.
Added 10ns for Industrial Temperature range offerings.
CORPORATE HEADQUARTERS
6024 Silver Creek Valley Road
San Jose, CA 95138
for SALES:
800-345-7015 or
408-284-8200
for Tech Support:
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800-345-7015
fax: 408-284-2775
www.idt.com
The IDT logo is a registered trademark of Integrated Device Technology, Inc.
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT71V016SA20PH | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 20NS 44TSOP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA（14x22） 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI |
| IDT71V016SA20PH8 | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 20NS 44TSOP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA（14x22） 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI |
| IDT71V016SA20PHG | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 20NS 44TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,500 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（单线） 电源电压:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） 供应商设备封装:8-MSOP 包装:带卷 (TR) |
| IDT71V016SA20PHG8 | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 20NS 44TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:256K (32K x 8) 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:28-TSSOP（0.465"，11.8mm 宽） 供应商设备封装:28-TSOP 包装:带卷 (TR) 其它名称:71V256SA15PZGI8 |
| IDT71V016SA20PHGI | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 20NS 44TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘 |
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