- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录4194 > IDT71V124SA12PHGI8 (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 1MBIT 12NS 32TSOP PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT71V124SA12PHGI8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 1MBIT 12NS 32TSOP |
| 标准包装： | 1,500 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 异步 |
| 存储容量： | 1M (128K x 8) |
| 速度： | 12ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 32-SOIC（0.400"，10.16mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 32-TSOP II |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 71V124SA12PHGI8 |
IDT71V124SA, 3.3V CMOS Static RAM
1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power & Ground Pinout
Pin Configuration
Commercial and Industrial Temperature Ranges
Absolute Maximum Ratings (1)
Symbol
Rating
Value
Unit
A 0
A 1
A 2
A 3
CS
1
2
3
4
5
32
31
30
29
28
A 16
A 15
A 14
A 13
OE
V DD
V IN , V OUT
Supply Voltage Relative
to GND
Terminal Voltage Relative
to GND
-0.5 to +4.6
-0.5 to V DD +0.5
V
V
I/O 0
I/O 1
V DD
GND
I/O 2
6
7
8
9
10
SO32-2 27
SO32-3 26
SO32-4 25
24
23
I/O 7
I/O 6
GND
V DD
I/O 5
T A
Commercial
Operating Temperature
Industrial
Operating Temperature
-0 to +70
-40 to +85
o
C
I/O 3
WE
A 4
A 5
11
12
13
14
22
21
20
19
I/O 4
A 12
A 11
A 10
.
T BIAS
T STG
Temperature Under Bias
Storage Temperature
-55 to +125
-55 to +125
o
o
C
C
A 6
A 7
15
16
18
17
A 9
A 8
P T
I OUT
Power Dissipation
DC Output Current
1.25
50
W
mA
3873 drw 02
NOTE:
3873 tbl 02
SOJ and TSOP
Top View
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may cause
permanent damage to the device. This is a stress rating only and functional operation
of the device at these or any other conditions above those indicated in the operational
sections of this specification is not implied. Exposure to absolute maximum rating
Truth Table (1)
CS OE WE
L L H
I/O
DATA OUT
Read Data
Function
conditions for extended periods may affect reliabilty.
Recommended Operating Tempera-
ture and Supply Voltage
L
L
H
X
H
X
L
H
X
DATA IN
High-Z
High-Z
Write Data
Output Disabled
Deselected – Standby
Grade
Commercial
Industrial
Temperature
0°C to +70°C
-40°C to +85°C
GND
0V
0V
V DD
See Below
See Below
NOTE:
1. H = V IH , L = V IL , X = Don't care.
3873 tbl 01
Recommended DC Operating
Conditions
3873 tb l 02a
Capacitance
(T A = +25°C, f = 1.0MHz, SOJ package)
Symbol Parameter (1) Conditions Max.
Unit
Symbol
V DD (1)
V DD (2)
Parameter
Supply Voltage
Supply Voltage
Min.
3.15
3.0
Typ.
3.3
3.3
Max.
3.6
3.6
Unit
V
V
V DD +0.3
C IN
C I/O
Input Capacitance
I/O Capacitance
V IN = 3dV
V OUT = 3dV
6
7
pF
pF
V SS
V IH
Ground
Input High Voltage
0
2.0
0
____
0
(3)
V
V
NOTE:
3873 tbl 03
V IL
Input Low Voltage
–0.5 (1)
____
0.8
V
1. This parameter is guaranteed by device characterization, but is not production tested.
NOTES:
3873 tbl 04
DC Electrical Characteristics
1. For 71V124SA10 only.
2. For all speed grades except 71V124SA10.
3. V IH (max.) = V DD +2V for pulse width less than 5ns, once per cycle.
4. V IL (min.) = –2V for pulse width less than 5ns, once per cycle.
(V DD = Min. to Max., Commercial and Industrial Temperature Ranges)
Symbol
|I LI |
|I LO |
V OL
V OH
Parameter
Input Leakage Current
Output Leakage Current
Output Low Voltage
Output High Voltage
Test Conditions
V DD = Max., V IN = GND to V DD
V DD = Max., CS = V IH , V OUT = GND to V DD
I OL = 8mA, V DD = Min.
I OH = –4mA, V DD = Min.
Min.
___
___
___
2.4
Max.
5
5
0.4
___
Unit
μA
μA
V
V
3873 tbl 05
2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AMC36DRXH-S734 | CONN EDGECARD 72POS DIP .100 SLD |
| IDT71V256SA15PZG | IC SRAM 256KBIT 15NS 28TSOP |
| IDT71V256SA10PZG | IC SRAM 256KBIT 10NS 28TSOP |
| RMC15DTEN | CONN EDGECARD 30POS .100 EYELET |
| RMC15DTEH | CONN EDGECARD 30POS .100 EYELET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT71V124SA12PHI | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 12NS 32TSOP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA（14x22） 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI |
| IDT71V124SA12PHI8 | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 12NS 32TSOP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA（14x22） 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI |
| IDT71V124SA12TY | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 12NS 32SOJ RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA（14x22） 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI |
| IDT71V124SA12TY8 | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 12NS 32SOJ RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA（14x22） 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI |
| IDT71V124SA12TYG | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 12NS 32SOJ RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,500 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（单线） 电源电压:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） 供应商设备封装:8-MSOP 包装:带卷 (TR) |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。