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参数资料
| 型号： | IDT71V124SA12PHGI8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 1MBIT 12NS 32TSOP |
| 标准包装： | 1,500 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 异步 |
| 存储容量： | 1M (128K x 8) |
| 速度： | 12ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 32-SOIC（0.400"，10.16mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 32-TSOP II |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 71V124SA12PHGI8 |
IDT71V124SA, 3.3V CMOS Static RAM
1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power & Ground Pinout
DC Electrical Characteristics (1, 2)
(V DD = Min. to Max., V LC = 0.2V, V HC = V DD – 0.2V)
Commercial and Industrial Temperature Ranges
71V124SA10
71V124SA12
71V124SA15
Symbol
I CC
I SB
I SB1
Parameter
Dynamic Operating Current
CS < V LC , Outputs Open, V DD = Max., f = f MAX (3)
Dynamic Standby Power Supply Curren t
CS > V HC , Outputs Open, V DD = Max., f = f MAX (3)
Full Standby Power Supply Current (static)
CS > V HC , Outputs Open, V DD = Max., f = 0 (3)
Commercial
145
45
10
Com'l
130
40
10
Ind
140
40
10
Com'l
100
35
10
Ind
120
40
10
Unit
mA
mA
mA
NOTES:
1. All values are maximum guaranteed values.
2. All inputs switch between 0.2V (Low) and V DD –0.2V (High).
3. f MAX = 1/t RC (all address inputs are cycling at f MAX ) ; f = 0 means no address input lines are changing.
AC Test Conditions
3873 tbl 06
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
Output Reference Levels
AC Test Load
GND to 3.0V
3ns
1.5V
1.5V
See Figure 1 and 2
3873 tbl 07
3.3V
+1.5V
50 ?
DATA OUT
320 ?
I/O
Z 0 = 50 ?
5pF*
350 ?
30pF
Figure 1. AC Test Load
3873 drw 03
.
3
6.42
3873 drw 04
*Including jig and scope capacitance.
Figure 2. AC Test Load
(for t CLZ , t OLZ , t CHZ , t OHZ , t OW, and t WHZ )
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| AMC36DRXH-S734 | CONN EDGECARD 72POS DIP .100 SLD |
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| RMC15DTEH | CONN EDGECARD 30POS .100 EYELET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT71V124SA12PHI | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 12NS 32TSOP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA（14x22） 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI |
| IDT71V124SA12PHI8 | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 12NS 32TSOP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA（14x22） 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI |
| IDT71V124SA12TY | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 12NS 32SOJ RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA（14x22） 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI |
| IDT71V124SA12TY8 | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 12NS 32SOJ RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA（14x22） 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI |
| IDT71V124SA12TYG | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 12NS 32SOJ RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,500 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（单线） 电源电压:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） 供应商设备封装:8-MSOP 包装:带卷 (TR) |
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