- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录4194 > IDT71V124SA12TYGI8 (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 1MBIT 12NS 32SOJ PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT71V124SA12TYGI8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 1MBIT 12NS 32SOJ |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 异步 |
| 存储容量： | 1M (128K x 8) |
| 速度： | 12ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 32-BSOJ |
| 供应商设备封装： | 32-SOJ |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 71V124SA12TYGI8 |
3.3V CMOS Static RAM
1 Meg (128K x 8-Bit)
Center Power &
Ground Pinout
IDT71V124SA
128K x 8 advanced high-speed CMOS static RAM
JEDEC revolutionary pinout (center power/GND) for
Equal access and cycle times
One Chip Select plus one Output Enable pin
Inputs and outputs are LVTTL-compatible
Single 3.3V supply
Low power consumption via chip deselect
Available in a 32-pin 300- and 400-mil Plastic SOJ, and
Features
◆
◆
reduced noise
◆
– Commercial: 10/12/15ns
– Industrial: 12/15ns
◆
◆
◆
◆
◆
32-pin Type II TSOP packages.
Functional Block Diagram
A 0
?
?
Description
The IDT71V124 is a 1,048,576-bit high-speed static RAM organized
as 128K x 8. It is fabricated using high-performance, high-reliability CMOS
technology. This state-of-the-art technology, combined with innovative
circuit design techniques, provides a cost-effective solution for high-speed
memory needs. The JEDEC center power/GND pinout reduces noise
generation and improves system performance.
The IDT71V124 has an output enable pin which operates as fast as
5ns, with address access times as fast as 10ns available. All bidirectional
inputs and outputs of the IDT71V124 are LVTTL-compatible and operation
is from a single 3.3V supply. Fully static asynchronous circuitry is used;
no clocks or refreshes are required for operation.
A 16
?
?
ADDRESS
DECODER
?
?
1,048,576-BIT
MEMORY ARRAY
I/O 0 - I/O 7
8
I/O CONTROL
8
.
8
WE
OE
CS
CONTROL
LOGIC
1
3873 drw 01
FEBRUARY 2013
? 2013 Integrated Device Technology, Inc. All rights reserved. Product specifications subject to change without notice.
DSC-3873/11
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ACC60DRXI-S734 | CONN EDGECARD 120PS DIP .100 SLD |
| IDT71V124SA12PHGI8 | IC SRAM 1MBIT 12NS 32TSOP |
| AMC36DRXH-S734 | CONN EDGECARD 72POS DIP .100 SLD |
| IDT71V256SA15PZG | IC SRAM 256KBIT 15NS 28TSOP |
| IDT71V256SA10PZG | IC SRAM 256KBIT 10NS 28TSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT71V124SA12TYI | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 12NS 32SOJ RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA（14x22） 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI |
| IDT71V124SA12TYI8 | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 12NS 32SOJ RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA（14x22） 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI |
| IDT71V124SA12Y | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 12NS 32SOJ RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA（14x22） 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI |
| IDT71V124SA12Y8 | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 12NS 32SOJ RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA（14x22） 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI |
| IDT71V124SA12YG | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 12NS 32SOJ RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,500 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（单线） 电源电压:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） 供应商设备封装:8-MSOP 包装:带卷 (TR) |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。