参数资料
型号: IDT71V124SA12TYGI8
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 8/8页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 1MBIT 12NS 32SOJ
标准包装: 1,000
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 异步
存储容量: 1M (128K x 8)
速度: 12ns
接口: 并联
电源电压: 3 V ~ 3.6 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 32-BSOJ
供应商设备封装: 32-SOJ
包装: 带卷 (TR)
其它名称: 71V124SA12TYGI8
IDT71V124SA, 3.3V CMOS Static RAM
1 Meg (128K x 8-Bit), Center Power & Ground Pinout
Datasheet Document History
Commercial and Industrial Temperature Ranges
11/22/99
Pg. 1–4, 7
Pg. 2
Pg. 6
Pg. 8
Updated to new format
Added Industrial Temperature range offerings
Added Recommended Operating Temperature and Supply Voltage table
Revised footnotes on Write Cycle No. 1 diagram
Added Datasheet Document History
08/30/00
08/22/01
11/30/03
01/30/04
2/14/07
10/13/08
11/15/10
02/01/13:
Pg. 3
Pg. 4
Pg. 7
Pg. 1,3,7
Pg. 7
Pg. 7
Pg. 7
Pg. 1,3,4,7
Pg. 1
Tighten I CC and I SB
Tighten AC Characteristics t OHZ , t OW and t WHZ
Removed footnote "400-mil SOJ package only offered in 10ns and 12ns speed grade"
Added Industrial temperature offering 10ns speed grade
Added "Restricted hazardous substance device" to ordering information
Added H generation die step to data sheet ordering information
Removed "IDT" from the orderable part number
Removed 20ns commercial, 10ns & 20ns industrial and also removed HSA offering
Removed IDT reference to fabrication and changed fastest access address time from 9ns to 10ns
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