参数资料
型号: IDT71V256SA10YI
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 3/8页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 256KBIT 10NS 28SOJ
产品变化通告: Product Discontinuation 26/Oct/2009
标准包装: 27
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 异步
存储容量: 256K (32K x 8)
速度: 10ns
接口: 并联
电源电压: 3 V ~ 3.6 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 28-BSOJ
供应商设备封装: 28-SOJ
包装: 管件
其它名称: 71V256SA10YI
IDT71V256SA
3.3V CMOS Static RAM 256K (32K x 8-Bit)
Recommended DC Operating
Conditions
Commercial and Industrial Temperature Ranges
-0.3
Symbol
V CC
GND
V IH
V IH
V IL
Parameter
Supply Voltage
Ground
Input High Voltage - Inputs
Input High Voltage - I/O
Input Low Voltage
Min.
3.0
0
2.0
2.0
(1)
Typ.
3.3
0
____
____
____
Max.
3.6
0
V CC +0.3
V CC +0.3
0.8
Unit
V
V
V
V
V
NOTE:
1. V IL (min.) = –2.0V for pulse width less than 5ns, once per cycle.
3101 tbl 06
DC Electrical Characteristics (1)
(V CC = 3.3V ± 0.3V, V LC = 0.2V, V HC = V CC - 0.2V, Commercial and Industrial Temperature
Ranges)
Symbol Parameter 71V256SA10 71V256SA12 71V256SA15 71V256SA20
Unit
I CC
I SB
I SB1
Dynamic Operating Current CS < V IL , Outputs
Open, V CC = Max., f = f MAX (2)
Standby Power Supply Current (TTL Level)
CS = V IH , V CC = Max., Outputs Open, f = f MAX (2)
Full Standby Power Supply Current (CMOS Level)
CS > V HC , V CC = Max., Outputs Open, f = 0 (2) ,
V IN < V LC or V IN > V HC
100
20
2
90
20
2
85
20
2
85
20
2
mA
mA
mA
NOTES:
1. All values are maximum guaranteed values.
2. f MAX = 1/t RC , only address inputs cycling at f MAX ; f = 0 means that no inputs are cycling.
DC Electrical Characteristics
(V CC = 3.3V± 0.3V)
IDT71V256SA
3101 tbl 07
Symbol
|I LI |
|I LO |
V OL
V OH
Parameter
Input Leakage Current
Output Leakage Current
Output Low Voltage
Output High Voltage
Test Conditions
V CC = Max., V IN = GND to V CC
V CC = Max., CS = V IH , V OUT = GND to V CC
I OL = 8mA, V CC = Min.
I OH = -4mA, V CC = Min.
Min.
___
___
___
2.4
Typ.
___
___
___
___
Max.
2
2
0.4
___
Unit
μA
μA
V
V
3101 tbl 08
3
6.42
相关PDF资料
PDF描述
VI-21L-EV-F4 CONVERTER MOD DC/DC 28V 150W
345-050-500-802 CARDEDGE 50POS DUAL .100 GREEN
IDT71V256SA10YGI8 IC SRAM 256KBIT 10NS 28SOJ
IDT71V256SA10YGI IC SRAM 256KBIT 10NS 28SOJ
AS4PM-M3/86A DIODE STD 4A 1000V SMPC
相关代理商/技术参数
参数描述
IDT71V256SA10YI8 功能描述:IC SRAM 256KBIT 10NS 28SOJ RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M(128K x 36) 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA(14x22) 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI
IDT71V256SA12PZ 功能描述:IC SRAM 256KBIT 12NS 28TSOP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M(128K x 36) 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA(14x22) 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI
IDT71V256SA12PZ8 功能描述:IC SRAM 256KBIT 12NS 28TSOP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M(128K x 36) 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA(14x22) 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI
IDT71V256SA12PZG 功能描述:IC SRAM 256KBIT 12NS 28TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:4G(256M x 16) 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商设备封装:48-TSOP I 包装:Digi-Reel® 其它名称:557-1461-6
IDT71V256SA12PZG8 功能描述:IC SRAM 256KBIT 12NS 28TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:256K (32K x 8) 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:28-TSSOP(0.465",11.8mm 宽) 供应商设备封装:28-TSOP 包装:带卷 (TR) 其它名称:71V256SA15PZGI8