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参数资料
| 型号： | IDT71V256SA10YI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 256KBIT 10NS 28SOJ |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 26/Oct/2009 |
| 标准包装： | 27 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 异步 |
| 存储容量： | 256K (32K x 8) |
| 速度： | 10ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 28-BSOJ |
| 供应商设备封装： | 28-SOJ |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 71V256SA10YI |
IDT71V256SA
3.3V CMOS Static RAM 256K (32K x 8-Bit)
Timing Waveform of Read Cycle No. 1 (1)
t RC
ADDRESS
t AA
OE
Commercial and Industrial Temperature Ranges
t OH
t OLZ
t OE
(2)
t OHZ
(2)
CS
t CLZ
t ACS
(2)
t CHZ
(2)
DATA OUT
DATA VALID
3101 drw 06
,
NOTES:
1. WE is HIGH for Read cycle.
2. Transition is measured ±200mV from steady state.
Timing Waveform of Read Cycle No. 2 (1,2,4)
t RC
ADDRESS
t AA
t OH
t OH
DATA OUT
PREVIOUS DATA VALID
DATA VALID
3101 drw 07
,
Timing Waveform of Read Cycle No. 3 (1,3,4)
CS
t CLZ
t ACS
(5)
t CHZ
(5)
DATA OUT
DATA VALID
3101 drw 08
,
NOTES:
1. WE is HIGH for Read cycle.
2. Device is continuously selected, CS is LOW.
3. Address valid prior to or coincident with CS transition LOW.
4. OE is LOW.
5. Transition is measured ±200mV from steady state.
5
6.42
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PDF描述 |
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| IDT71V256SA10YGI | IC SRAM 256KBIT 10NS 28SOJ |
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参数描述 |
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