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参数资料
| 型号： | IDT71V256SA15YG |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 256KBIT 15NS 28SOJ |
| 标准包装： | 27 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 异步 |
| 存储容量： | 256K (32K x 8) |
| 速度： | 15ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 28-BSOJ |
| 供应商设备封装： | 28-SOJ |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 71V256SA15YG IDT71V256SA15YG-ND |
IDT71V256SA
3.3V CMOS Static RAM 256K (32K x 8-Bit)
Pin Configurations
Commercial and Industrial Temperature Ranges
Truth Table (1)
WE
CS
OE
I/O
Function
A 14
A 12
A 7
A 6
A 5
A 4
1
2
3
4
5
6
28
27
26
25
24
23
V CC
WE
A 13
A 8
A 9
A 11
X
X
H
H
V HC
L
X
X
H
High-Z
High-Z
High-Z
Standby (I SB )
Standby (I SB1 )
Output Disable
A 3
A 2
A 1
7
8
9
SO28-5
22
21
20
OE
A 10
CS
H
L
L
L
L
X
D OUT
D IN
Read
Write
A 0
I/O 0
I/O 1
I/O 2
10
11
12
13
19
18
17
16
I/O 7
I/O 6
I/O 5
I/O 4
NOTE:
1. H = V IH , L = V IL , X = Don’t Care
3101 tbl 02
OE
A 11
A 9
A 8
22
23
24
25
GND
14 15
DIP/SOJ
Top View
I/O 3
3101 drw 02
21
20
19
18
,
A 10
CS
I/O 7
I/O 6
Absolute Maximum Ratings (1)
Symbol Rating Com'l.
V CC Supply Voltage -0.5 to +4.6
Relative to GND
V TERM (2) Terminal Voltage -0.5 to V CC +0.5
Relative to GND
Unit
V
V
A 13
WE
26
27
17
16
I/O 5
I/O 4
T BIAS
Temperature Under Bias
-55 to +125
o
C
V CC
A 14
28
1
SO28-8
15
14
I/O 3
GND
T STG
Storage Temperature
-55 to +125
o
C
A 12
A 7
A 6
A 5
2
3
4
5
13
12
11
10
I/O 2
I/O 1
I/O 0
A 0
,
P T
I OUT
Power Dissipation
DC Output Current
1.0
50
W
mA
A 1
A 2
NOTES:
A 4
A 3
6
7
TSOP
Top View
9
8
3101 drw 03
3101 tbl 03
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
may cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and
functional operation of the device at these or any other conditions above those
indicated in the operational sections of this specification is not implied. Exposure
to absolute maximum rating conditions for extended periods may affect
reliability.
Pin Descriptions
2. Input, Output, and I/O terminals; 4.6V maximum.
Name
A 0 - A 14
Description
Addresses
Capacitance
(T A = +25°C, f = 1.0MHz, SOJ package)
I/O 0 - I/O 7
CS
WE
Data Input/Output
Chip Select
Write Enable
Symbol
C IN
C OUT
Parameter (1)
Input Capacitance
Output Capacitance
Conditions
V IN = 3dV
V OUT = 3dV
Max.
6
7
Unit
pF
pF
OE
GND
V CC
Output Enable
Ground
Power
3101 tbl 01
3101 tbl 04
NOTE:
1. This parameter is determined by device characterization, but is not production
tested.
Recommended Operating
Temperature and Supply Voltage
Grade
Commercial
Industrial
Temperature
0 O C to +70 O C
-40 O C to +85 O C
GND
0V
0V
Vcc
3.3V ± 0.3V
3.3V ± 0.3V
3101 tbl 05
2
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