- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录4382 > IDT71V256SA15YG (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 256KBIT 15NS 28SOJ PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT71V256SA15YG |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 256KBIT 15NS 28SOJ |
| 标准包装： | 27 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 异步 |
| 存储容量： | 256K (32K x 8) |
| 速度： | 15ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 28-BSOJ |
| 供应商设备封装： | 28-SOJ |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 71V256SA15YG IDT71V256SA15YG-ND |
IDT71V256SA
3.3V CMOS Static RAM 256K (32K x 8-Bit)
Timing Waveform of Read Cycle No. 1 (1)
t RC
ADDRESS
t AA
OE
Commercial and Industrial Temperature Ranges
t OH
t OLZ
t OE
(2)
t OHZ
(2)
CS
t CLZ
t ACS
(2)
t CHZ
(2)
DATA OUT
DATA VALID
3101 drw 06
,
NOTES:
1. WE is HIGH for Read cycle.
2. Transition is measured ±200mV from steady state.
Timing Waveform of Read Cycle No. 2 (1,2,4)
t RC
ADDRESS
t AA
t OH
t OH
DATA OUT
PREVIOUS DATA VALID
DATA VALID
3101 drw 07
,
Timing Waveform of Read Cycle No. 3 (1,3,4)
CS
t CLZ
t ACS
(5)
t CHZ
(5)
DATA OUT
DATA VALID
3101 drw 08
,
NOTES:
1. WE is HIGH for Read cycle.
2. Device is continuously selected, CS is LOW.
3. Address valid prior to or coincident with CS transition LOW.
4. OE is LOW.
5. Transition is measured ±200mV from steady state.
5
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EP2S15F672C3N | IC STRATIX II FPGA 15K 672-FBGA |
| GBB120DHAN | CONN EDGECARD 240PS R/A .050 SLD |
| EP1SGX10DF672C7N | IC STRATIX GX FPGA 10KLE 672FBGA |
| ABB45DHBN | CONN EDGECARD 90POS R/A .050 SLD |
| IDT71256SA20YG | IC SRAM 256KBIT 20NS 28SOJ |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT71V256SA15YG8 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 15NS 28SOJ RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:60 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 线串行 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-PDIP 包装:管件 产品目录页面:1449 (CN2011-ZH PDF) |
| IDT71V256SA15YGI | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 15NS 28SOJ RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘 |
| IDT71V256SA15YGI8 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 15NS 28SOJ RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:256K (32K x 8) 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:28-TSSOP（0.465"，11.8mm 宽） 供应商设备封装:28-TSOP 包装:带卷 (TR) 其它名称:71V256SA15PZGI8 |
| IDT71V256SA15YI | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 15NS 28SOJ RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA（14x22） 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI |
| IDT71V256SA15YI8 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 15NS 28SOJ RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA（14x22） 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。